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更新: 28 September, 2023
STP6N60FI是一种功率MOS晶体管，具有N沟道增强模式，典型RDS(on) = 1Ω，具备100%的雪崩测试，适用于高电流、高速开关等应用场景。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 1374C8E05D0297024F0966FF9855CE40
发布时间: 01 April, 2012
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连接: SGS-THOMSON STP6N60FI 说明书(1) PDF