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更新: 30 September, 2023
STP7NB30是STMicroelectronics公司设计的高性能N通道MOSFET，具有典型RDS(on)为0.75欧姆、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、非常低的固有电容和最小化的栅极电荷。应用包括高电流、高速度切换、开关模式电源供应(SMPS)、焊接设备和不间断电源供应以及电机驱动。
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MD5: C7892EEB0C4D56533FBEB31D3ABDEA55
发布时间: 01 April, 2012
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连接: ST STP7NB30 STP7NB30FP 说明书(1)(1) PDF