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STP7NA40 / STP7NA40FI N 通道增强型快速功率 MOS 晶体管具有典型的 RDS(on) = 0.82 欧姆、±30V 栅极至源极电压额定值、100% 雪崩测试、100oC 的反复雪崩数据、低固有电容、最小化的栅极充电和减少的阈值电压分散。