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更新: 30 September, 2023
STP7NA40 / STP7NA40FI N 通道增强型快速功率 MOS 晶体管具有典型的 RDS(on) = 0.82 欧姆、±30V 栅极至源极电压额定值、100% 雪崩测试、100oC 的反复雪崩数据、低固有电容、最小化的栅极充电和减少的阈值电压分散。
文件格式: PDF
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MD5: CDEBFCBA04FAB3FAAB633258674BAB5C
发布时间: 01 April, 2012
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连接: SGS-THOMSON STP7NA40 STP7NA40FI 说明书(1)(1) PDF