MITSUBISHI ELECTRIC MGF1601B 说明书

MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET,设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB,适用于微带电路。


品牌
三菱
文件格式
PDF
发布时间
2012年3月21日
更新时间
2023年9月30日
MD5 校验值
2FB9C07BB311CC9BD1219A601C627CD5
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