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该文件介绍了DS1225AB和DS1225AD两种型号的非易失性静态RAM的特点和特性。这些RAM具有10年的数据保留时间，在断电情况下自动保护数据。它们可以直接替代8k x 8易失性静态RAM或EEPROM，具有无限的写入次数和低功耗CMOS设计。它们采用标准的28引脚DIP封装，具有70ns的读写访问时间。此外，它们支持全电压范围和工业温度范围。