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更新: 30 September, 2023
DS1220AB/DS1220AD 16k Nonvolatile SRAM是16,384位、完全静态、非易失性SRAM，组织为2048个字节由8位组成。每个NV SRAM具有自包含的锂能量源和控制电路，该电路不断监视VCC以检查是否存在超出容差的条件。当发生这种情况时，锂能量源会自动切换开启并无条件启用写保护以防止数据损坏。NV SRAM可以替代现有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字节宽24针DIP标准。这些设备还与2716 EPROM和2816 EEPROM的引脚匹配，允许直接替代，同时提高性能。
文件格式: PDF
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MD5: D2ED1D0A162A17A96487CBB9B34B0B80
发布时间: 21 March, 2012
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连接: MAXIM DS1220AB/AD 16k Nonvolatile SRAM 说明书 PDF