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该文件介绍了东芝的64层3D NAND闪存芯片，产品型号为THN32GBL8H1R8B，该芯片使用了96层堆叠技术，芯片容量为32GB，该芯片采用了19nm工艺，读取速度为500MB/s，写入速度为500MB/s，该芯片主要应用于手机、平板电脑等设备