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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了MRF5S21090HR3和MRF5S21090HSR3 RF功率场效应晶体管的特点和特性。它们是N沟道增强型侧向MOSFET，设计用于2110至2170MHz的W-CDMA基站应用。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。适用于PCN-PCS/蜂窝无线电和WLL应用的AB类使用。文档还列举了其在2载波W-CDMA性能方面的典型值。该产品具有高功率增益、低热阻、内置ESD保护、RoHS合规等特点。
文件格式: PDF
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MD5: 0BA6709DD56738E565318D480AD99F5F
发布时间: 29 December, 2011
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