MITSUBISHI FS16KM-9 Data Sheet 该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS16KM-9高速开关使用的特点。它具有450V的漏源电压、0.45Ω的漏源电阻和16A的漏极电流。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源。
lnternational IOR Rectifier IRK. SERIES 数据手册 这份文件介绍了一系列高压功率模块的特点和特性，包括高压电气隔离基板、工业标准封装、简化机械设计、高浪涌能力等。这些模块可以用于电池充电器、焊接设备、电镀设备、电机驱动、UPS等需求高电压和高电流的通用应用。
lnternational IOR Rectifier IRHMS57Z60 数据手册 IRF的R5TM技术提供了适用于太空应用的高性能功率MOSFET。这些器件已经经过单事件效应（SEE）的特性化，其有效性能可达到80（MeV/（mg/cm2））的LET。低RDS（on）和低栅电荷的组合减少了在DC到DC转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。这些器件保留了MOSFET的全部优点，如电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定性。
lnternational IOR Rectifier IRHE9130 100V, P-CHANNEL 数据手册 该文档介绍了国际整流器(IR)的RAD-HardTM HEXFET® MOSFET技术，该技术提供了用于空间应用的高性能功率MOSFET。这些器件具有低Rdson和低门电荷，可减小开关应用中的功率损耗。此外，它们还保留了MOSFET的所有优点，如电压控制、快速切换、易于并联和电气参数的温度稳定性。
lnternational IOR Rectifier I R H 7 2 5 0 S E 2 0 0 V , N-CHANNE L 数据手册 该文件介绍了一款辐射硬化功率MOSFET产品的特点和特性，包括单事件效应硬化、超低RDS(on)、低总门电荷、质子耐受性、简单驱动要求、容易并联和密封性好等特点。
International IOR Rectifier IRFR9N20D/IRFU9N20D 数据手册 这份文件介绍了IRFR9N20D和IRFU9N20D两款SMPS MOSFET HEXFET®功率MOSFET产品的特点和特性。它们具有200V的最大漏极-源极电压、0.38Ω的最大漏电阻和9.4A的最大连续漏极电流。此外，该文件还提供了其他参数和绝对最大额定值。
RENESAS SH7040, SH7041, SH7042, SH7043, SH7044, SH7055 Group 32 Hardware Manual 本手册详细介绍了SH7040系列芯片(CPU核为SH-2)的硬件特性及使用方法。
International IOR Rectifier IRFBC30AS/L 数据手册 IRFBC30AS/L是irf公司生产的一款mosfet，额定电压600v，额定电流3.6a，具有低栅极电荷、高速度开关等特点。
VISHAY BAR63V-02V DATA SHEET 该文档介绍了BAR63V-02V RF PIN二极管的特点和特性，包括低正向电阻、小的反向电容和高隔离性。该产品适用于无线、移动和电视系统的频率调谐应用。
LINFINITY SG29125/125A 数据手册 SG29125/125A 是 LINFINITY Microelectronics Inc. 于 1994 年推出的一款双 12V/5V 正电压调节器。其中一个输出是一个高电流 (高达 1000 mA) 调节器，可通过高阻低电流 TTL 兼容开关打开或关闭。第二个或待机输出无论如何都保持开启。
Resistor Networks NRN Series 数据手册 该产品为NIC COMPONENTS CORPORATION 的单排单片电阻网络，特点是低轮廓、宽范围的电阻值、高可靠性和经济实惠的价格。
FL400 THRU FL408 IN-LINE MINIATURE SINGLE PHASE SILICON BRIDGE VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amperes 该文件介绍了FL400至FL408型号的单相硅桥整流器的特点和特性，包括耐压、输入电压、输出电流、过载能力、安装方式等。
