工业器械说明书 - 第3288页

ROHM TCFG series 说明书

TCFG系列是带有开关功能的贴片钽电容，具有安全设计、宽电容范围和热冲击筛选等特点。

QS8K21是罗姆公司生产的Nch + Nch MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装、低电压驱动等特点，适用于开关应用。

该文件介绍了ROHM公司生产的2.5V驱动Nch MOSFET QS8K2的特点和特性，包括低导通电阻、高功率封装和2.5V驱动等。

QS8M12是一款低压驱动的Nch+Pch MOSFET，具有低压驱动、高功率、低导通电阻的特点，主要用于开关电源。

该文件是关于ROHM QS8M13 4V驱动Nch + Pch MOSFET的数据表。该MOSFET具有低导通电阻、高功率封装和低电压驱动等特点，适用于开关应用。

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QS8M51是一种4V驱动的Nch + Pch MOSFET，具有低导通电阻和小尺寸表面贴装封装。适用于开关应用。

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QS5U16是一种具有Nch MOSFET和肖特基势垒二极管的晶体管。它具有低导通电阻、快速开关速度、低电压驱动和低正向电压等特点。适用于负载开关和直流/直流转换等应用。

QS5U17是2.5V驱动Nch+SBD MOS FET，具有低导通电阻、快速开关、低电压驱动（2.5V）等特点，广泛应用于负载开关和DC/DC转换等领域。

QS5U21是2.5V驱动的Pch+SBD MOS FET。该管子具有低导通电阻和快开关特性，内置肖特基二极管，正向压降低，适用于负载开关和DC/DC转换等应用。

BAT 62是低功耗硅肖特基二极管，用于检测高达GHz的频率。

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QS5U26 Transistor Rev.B是一款Pch+ SBD MOSFET，具有低阻态电阻、快速开关速度、低电压驱动和低正向电压等特点。适用于开关应用。