GENERAL SEMICONDUCTOR P6KA6.8 THRU P6KA43A Data Sheet P6KA6.8 THRU P6KA43A 汽车瞬态电压抑制器，额定击穿电压为6.8至43伏特，最大脉冲功率为600瓦特。该产品具有耐高温、快速响应、低阻抗等特点，适用于汽车的各种应用场景。
Microsemi 1N821UR thru 1N829AUR-1 Data Sheet 1N821UR至1N829AUR-1系列的表面贴装零温度系数参考二极管提供了6.2伏和6.55伏的标称电压和温度系数，最低可达0.0005%/摄氏度，当工作电流为7.5毫安时，电压随温度的变化极小。这些玻璃表面贴装DO-213AA（MELF）参考二极管也可选择性地带有内部冶金键合，通过添加“-1”后缀。这种键合稳定的Zener封装结构也可在JAN、JANTX和JANTXV军规认证中获得。Microsemi还提供多种其他电压高达200伏的Zener参考二极管产品。
松下 2SK0665 (2SK665) 数据手册 2SK0665(2SK665) 是日本富士通公司生产的一款高性能小信号N沟道MOSFET，具有高开关速度、高输入阻抗和高静电击穿电压等特点。本数据手册详细介绍了该器件的特性参数，供设计人员参考。
松下 2SK0664 (2SK664) 数据手册 2SK0664 (2SK664) 是一款高性能硅N沟道MOS晶体管，用于开关电路。该晶体管具有高开关速度和S-mini型封装，可实现电路小型化和自动插入。
DIODES SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A 数据手册 该文件介绍了SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A系列表面贴装瞬态电压抑制器的特点和特性，包括最大耐受电压、峰值脉冲功率耗散、峰值前向浪涌电流等。
SIEMENS HITFET BTS 941 Smart Lowside Power Switch HITFETBTS 941 Smart Lowside Power Switch 是一款逻辑电平输入、具有ESD保护、过温保护、过载保护、短路保护、过压保护、电流限制功能的产品，最大电流可通过外部电阻进行调节。
PERFORMANCE P4C150 ULTRA HIGH SPEED 1K X 4 RESETTABLE STATIC CMOS RAM P4C150是一种4096位超高速静态RAM，适用于高速缓存应用。具有清零功能、无需时钟或刷新、等访问和周期时间等特点。可通过单个5V±10%的电源供应工作。具有非常快的存取时间，可大大提高系统运行速度。
