CYPRESS CY8C24123A, CY8C24223A, and CY8C24423A Data Sheet PSoC™是一款混合信号阵列，它包括一个片上控制器，旨在用一个低成本的单片可编程设备替代多个传统的MCU系统组件。该设备包括可配置的模拟和数字逻辑块，以及可编程互连。这种体系结构允许用户创建个性化的外围配置，以满足每个应用程序的需求。此外，还包括一个快速的CPU、Flash程序存储器、SRAM数据存储器和可配置IO，这些都包括在一系列方便的引脚和封装中。
CYPRESS CY7C09079V/89V/99V CY7C09179V/89V/99V说明书 本文件介绍了3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM CY7C09079V/89V/99V CY7C09179V/89V/99V的特点特性。
CYPRESS enCoRe USB CY7C63221/31A 说明书 该文档介绍了Cypress Semiconductor Corporation生产的enCoRe™ USB CY7C63221/31A产品的特点和特性。
CYPRESS CY7C182 8Kx9 Static RAM说明书 CY7C182是Cypress Semiconductor Corporation公司生产的一款高性能的静态RAM，具有高速度、低功耗、TTL兼容等特点，可用于缓存存储器应用
CYPRESS CY7C182 说明书 8Kx9 Static RAM CY7C182是Cypress Semiconductor Corporation生产的高速CMOS静态RAM，组织形式为8192 * 9位，具有25ns的快速访问时间和770mW的最大功耗。此外，该产品还具有自动电源关闭功能和易于扩展内存的功能。
CYPRESS CY7C1354B CY7C1356B 说明书 CY7C1354B和CY7C1356B是3.3V的，256K x 36和512K x 18同步流水线突发SRAM，具有无总线延迟的逻辑。它们旨在支持无限真正的连续读/写操作，无需等待状态。CY7C1354B和CY7C1356B配备了先进的（NoBL）逻辑，以实现每个时钟周期传输数据的连续读/写操作。这个特性非常引人注目。
TEXAS INSTRUMENTS CY74FCT16827T CY74FCT162827T 数据手册 CY74FCT162827T和CY74FCT16827T是20位缓冲器/线路驱动器，提供高性能总线接口缓冲，适用于宽数据/地址路径或携带奇偶校验的总线。这些部件可以用作单个20位缓冲器或两个10位缓冲器。每个10位缓冲器都有一对经过NAND操作的OE引脚，增加了灵活性。输出设计有一个断电禁用特性，允许在运行时插入板卡。CY74FCT16827T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。CY74FCT162827T具有24mA平衡输出驱动器。
CYPRESS CY62138CV25/30/33 MoBL CY62138CV MoBL 说明书 2M (256K x 8) 静态RAM CY62138CV25/30/33 MoBL® CY62138CV MoBL® 是 Cypress Semiconductor Corporation 的一种高性能 CMOS 静态 RAM，具有 256K 字节 x 8 位组织，极低的活动电流，以及易于扩展的存储功能。
CYPRESS CY2SSTV8575 说明书 CY2SSTV8575是一款高性能的、低抖动、低偏置的零延迟缓冲器，用于在高速应用中分配差分时钟。它从一个差分时钟输入生成五个差分对时钟输出，并具有差分反馈时钟输出和输入。它支持60 MHz到170 MHz的操作频率，支持266 MHz DDR SDRAM，与扩频兼容，具有低抖动和很低的失配度。它还具有电源管理控制输入、在输入时钟小于20 MHz时的高阻抗输出和2.5V工作电压。
SONY CXP83400/83401 CMOS 8-bit Single Chip Microcomputer 说明书 CXP83400/83401是一种CMOS 8位单芯片微型计算机，可用于评估CXP83412/83416的功能。它具有广泛的指令集，最小指令周期为400ns，可应用EPROM和RAM，具有多种外设功能。
CENTRAL Wire-wound Chip Inductors - Open CT0603CS Series From 1.6 nH to 390 nH 该文档介绍了Wire-wound Chip Inductors（线圈芯片电感器）的规格和物理尺寸。它还提供了不同型号的电感器的电性能和特征参数，如电感值、频率响应等。
