工业器械 - 第2925页

这份文档介绍了M/A-COM公司生产的MA4M系列MNS微波芯片电容器的特点和特性，包括优秀的重复性、小尺寸、低损耗、高Q值等。这些电容器采用了低压化学气相沉积技术制造，具有均匀致密的氮化物层，相比于类似的MOS、MIS和陶瓷电容器，其单位面积电容量更高（从而使芯片尺寸更小）。金蒸镀接触用于在电容器芯片上提供易于焊接的金属垫片。M/A-COM MNS电容器在150℃的额定耐压下没有显示出可测量的电容变化。MA4M系列芯片电容器非常适合用于Ku波段以下的混合微波电路中，适用于需要DC阻挡、耦合电容等应用，具有低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性的优点。

MA2SV03是MACOM公司的变容二极管，其特点是电容比大，小电流，适用于VCO等应用。

M95256和M95128是互换的256Kbit和128Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高时钟速率，高达10MHz时钟速率，5ms写入时间。该数据表提供了M95256和M95128的规格、封装、引脚图和逻辑图。

该文件是关于M8077型号的XMAS LIGHT CONTROL产品的说明书，介绍了产品的特点和功能。产品具有8种功能，包括16首歌曲、音量调节、速度调节等。适用于圣诞灯控制等应用。

M54/74HC690/691/692/693是一种高速CMOS计数器/寄存器，采用硅门C2MOS技术制造。它们具有LSTTL的高速性能和真正的CMOS低功耗。内部电路由3个级别组成，包括缓冲输出，具有高噪声抑制和稳定输出。这些器件在一个20针封装中集成了同步计数器、四位D型寄存器和四路二线到一线多路复用器，具有三态输出。计数器可以从数据输入进行编程，并具有使能P和使能T输入以及易于扩展的串行传递输出。寄存器/计数器可选择计数输出或并行寄存器输出。

本手册介绍了摩托罗拉最全面的单片控制器系列产品，包括行业标准的8位控制器、最先进的16位和32位模块化控制器。在每个系列的价格和性能类别中，有各种各样的片上功能可满足特定的应用。摩托罗拉设备系列的结构使得向上迁移不需要完全的代码开发。M68HC11系列向上代码兼容M6800和M6801软件，而M68HC16系列源代码兼容M68HC11系列。摩托罗拉最新的8位MCU产品线M68HC08系列是完全互操作的。

该文件介绍了M61515FP声音处理器IC的特点和特性，包括内置的QSurround声音技术、电子音量控制、2段音调控制、5输入选择器、供电电压范围等。

M5M5256DP,KP,FP,VP,RV是262,144-bit CMOS static RAMs organized as 32,768-words by 8-bits which is fabricated using high-performance 3 polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery results in a high density and low power static RAM. Stand-by current is small enough for battery back-up application. It is ideal for the memory systems which require simple interface. Especially the M5M5256DVP,RV are packaged in a 28-pin thin small outline package.Two types of devices are available, M5M5256DVP(normal lead bend type package), M5M5256DRV(reverse lead bend type package). Using both types of devices, it becomes very easy to design a printed circuit board.

这是一份关于MITSUBISHI LSIs 262144-BIT CMOS STATIC RAM的文档。该RAM具有262,144位，使用32,768字节和8位，采用高性能3聚硅CMOS技术制造。它具有单一+5V电源供应、无时钟、无刷新、直接TTL兼容、三态输出等特点。此外，它还具备电池备份能力和低待机电流等特性。

M5M5256DFP,VP,RV是三菱电气生产的262,144-bit CMOS静态RAM，使用3个多晶硅CMOS技术，具有高密度和低功耗。它是理想的用于需要简单接口的存储系统。

M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 具有宽 x16 数据总线，可实现高带宽。供电电压为 VDD = 2.7 至 3.6V 的核心电源电压，用于程序、擦除和读取操作；VDDQ = 1.8V 至 VDD 用于 I/O 缓冲区。它支持同步/异步读取，即同步突发读取、异步随机读取、异步地址锁定控制读取和页读取。访问时间为同步突发读取高达 56MHz；异步页模式读取 90/25ns 和 110/25ns；随机读取 90ns，110ns。它具有 16 字写入缓冲区和 18µs 字有效编程时间。它具有 64 个均匀的 32 KWord 存储块、块保护/取消保护、程序和擦除暂停、128 位保护寄存器、公共闪存接口和 100,000 次程序/擦除周期/块。电子签名为制造商代码：0020h - 设备代码 M58LW032A：8816h。它有 TSOP56（N）14 x 20 毫米 TBGA64（ZA）10 x 13 毫米 TBGA 两种封装。

M52743SP/M52744SP是三通道视频预放大器，可通过I2C总线控制主/次对比度和OSD调节功能。

M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER® SRAM是超低功耗SRAM，集成了实时时钟、电源故障控制电路、电池和晶体，具有精密功率监视和电源切换电路，当VCC超出范围时，会自动写入保护。

该文件介绍了DDR SDRAM 256MB、512MB和1GB Registered DIMM的规格和特性。这些模块采用256Mb E-die (x4, x8)技术，具有72位ECC校验和1,700 / 1,200mil高度。供应商查询信息包括不同容量和组织的模块的型号和规格。

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