TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8H02 数据手册 1
TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8H01 数据手册 该文件介绍了TPCP8H01型号的产品特点特性，包括多芯片离散器件、内置NPN晶体管和N沟道MOS场效应晶体管等。该产品具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压和高速开关等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) TPCP8402 数据手册 TPCP8402是东芝公司生产的一款MOSFET器件，具有低漏电流、低开关电阻和高输入阻抗等特点。
CDIL CD9014 TO-92 CBE NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR Data Sheet 该文件介绍了NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9014的绝对最大额定值和电气特性。CD9014是一种TO-92封装的硅平面晶体管，具有50V的集电极-发射极电压，50V的集电极-基极电压和5.0V的发射极-基极电压。它的最大集电极电流为100mA，最大集电极功耗为625mW。该晶体管具有不同的电流增益等级分类，其动态特性包括输出电容、过渡频率和噪声系数。
TEXAS INSTRUMENTS CD54HC377, CD74HC377, CD54HCT377, CD74HCT377 High-Speed CMOS Logic Octal D-Type Flip-Flop With Data Enable 数据手册 8位D触发器
TEXAS INSTRUMENTS CD54HC283, CD74HC283, CD54HCT283, CD74HCT283 High-Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 数据手册 是哈里斯半导体 SCHS176D 公司发布的一款二进制全加器，该器件可以使用正负逻辑，并且支持10个标准输出和15个总线驱动输出，工作温度范围为-55°C 至 125°C。
Agilent Technologies Wireless Remote Base Unit for VS Leak Detectors Installation 本手册提供了VS系列漏气探测器无线远程基站（VSFLDWB）的安装指南。
Agilent Technologies IO Board for VS Leak Detectors _VSFLDIO_ Field Instructions 该文件为Agilent的I/O Board for VS Series Leak Detectors的产品手册，介绍了该产品的特点特性及使用说明
Agilent Technologies Oil Mist Eliminator for VSPR-series Leak Detector: Field Instruction Manual 说明了VSPR系列气体泄漏检测仪用油雾分离器的安装说明
Agilent Technologies Thermocouple Gauge replacement for VS Series Leak Detectors Field Installation Instruction 1
Agilent Technologies VS C15 Calibrated Leak Replacement Field Service Manual 介绍了VS C15 Calibrated Leak的安装方法
Agilent Technologies Filament Replacement for VS C15 Leak Detector Field Service Manual 该文件是关于VS C15泄漏检测器丝状替换的说明书，介绍了替换丝状的操作步骤
