工业器械 - 第2755页

AT49F010/HF010 1-Megabit (128K x 8) 5-volt Only CMOS Flash Memory是Atmel公司生产的5伏特单电压内置系统可编程和可擦除Flash存储器。其1-megabit的存储器被组织为131,072个字节由8位组成。制造商利用Atmel先进的非易失性CMOS技术，在商用温度范围内提供45ns（HF版本）的访问时间，功耗仅为165 mW。当设备被取消选中时，CMOS待机电流小于100 µA。为了实现简单的系统内重编程，AT49F010/HF010不需要高输入电压进行编程。仅5伏特的命令决定了设备的读取和编程操作。从设备中读取数据类似于从EPROM中读取数据。重新编程AT49F010/HF010是通过擦除整个1兆字节的存储器然后以字节为单位进行编程来完成的。

AT49F004(T)和AT49F4096A(T)是5伏特，4兆字节闪存，组织为524,288个8位字或256K个16位字。由Atmel的先进的非易失性CMOS技术制造，该设备提供55ns的访问时间，功耗仅为275mW。当取消选择时，CMOS待机电流小于300µA。该设备包含用户启用的“引导块”保护功能。有两个版本的功能可用：AT49F004/4096A将引导块放在最低顺序地址（“底部引导”）；AT49F004T/4096AT将其放在最高顺序地址（“顶部引导”）。为了允许简单的系统内重新编程，AT49F004(T)/4096A(T)不需要高输入电压进行编程。从设备中读取数据类似于从EPROM中读取数据；它具有标准的CE、OE和WE输入，以避免总线争用。重新编程AT49F004(T)/4096A(T)只需要一个引脚，CE。对于大多数操作，其他引脚处于高阻状态。

AT-358 T0-8-2是1位，10dB，GaAs数字衰减器，工作频率范围为0.02-2GHz。

AT34C02B是一种256 x 8位的串行可擦写和可编程只读存储器(EEPROM)，具有永久和可逆的软件写保护功能以及硬件写保护功能。它支持低电压和标准电压操作，具有双线串行接口和双向数据传输协议。它还具有16字节页面写模式和自时序写周期等特性。

该文档为AT-32011和AT-32033两款低电流高性能NPN硅晶体管的产品手册。这两款产品专为低压操作下获得最大ft而优化，非常适合用于无线市场的电池供电应用。

ASMC-PxB9-Txxxx Envisium Power PLCC-4 Surface Mount LED Data Sheet 是 Agilent 和 Lumileds 制造的 Envisium 系列中功率 LED 数据手册，具有高可靠性封装、中功率强度亮度、高光效、更高的环境温度、超宽视角、兼容 IR 和 TTW 焊接工艺等特点。

ASM5P2304B是一款用于分发PC、工作站、数据通信、电信和其他高性能应用中的高速时钟的3.3V零延迟缓冲器。

ASM3P2769A是一种多功能扩频频率调制器，专为广泛范围的时钟频率设计。ASM3P2769A可以减少时钟源处的电磁干扰(EMI)，从而实现对所有时钟相关信号的系统范围内的EMI减少。ASM3P2769A通过减少传统上需要通过EMI规定的电路板层、铁氧体珠、屏蔽等的数量，实现了显著的系统成本节约。ASM3P2769A使用了FCC批准的最高效、最优化的调制配置文件，并通过使用专有的全数字方法来实现。ASM3P2769A调制单个PLL的输出，以“扩展”综合时钟的带宽，并更重要的是，降低了峰值。

ASM3P2760A是一种低功耗的峰值电磁干扰（EMI）降低解决方案。它能够生成一个经过优化的EMI时钟信号，并具有集成的环路滤波器组件。该产品工作电流小于4mA，采用低功耗CMOS设计。输入频率范围为6MHz到12MHz（2.5V）和6MHz到13MHz（3.3V），能够生成输入频率的1X低EMI扩频时钟。频率偏移为±0.65% @ 8MHz，可选的封装有6引脚TSOT-23、8引脚SOIC和8引脚TSSOP。

AS7C4098是Alliance Semiconductor公司生产的一款5V/3.3V 256K × 16 CMOS SRAM，具有高速度、低功耗、易扩展等特点。

AS018R1-01, AS018R1-10是Alpha Industries推出的一款GaAs IC SPST开关，具有DC-10 GHz的宽带特性，采用7引脚的密封包装，满足MIL-STD标准。

ARF220是ANSALDO公司生产的一款快速恢复二极管，其特点是反向恢复时间短，反向恢复电荷少，软度高，适用于电力电子设备和逆变器等领域。

AR2500L - AR2510L是汽车整流二极管，特点为高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向压降。

该文件介绍了PhotoMOS RELAYS GU (General Use)-E Type 2-Channel (Form A) Type的特点和特性，包括强化绝缘、紧凑尺寸、适用于2 Form A和两个独立的1 Form A用途、控制低级别模拟信号、高灵敏度、高速响应、低级别断开状态泄漏电流等。

本文件提供了APT10035 MOSFET的技术信息，包括最大额定值、静电特性、特性测试条件等