工业器械 - 第2654页

该数据表格主要提供中央半导体CJD122、CJD127型号的特性参数，包括最大额定值、标称值、测试条件、测试结果等。

STK400-060是STK400系列的一种产品,主要应用于电源、信号放大器、开关电源、音频放大器等领域

ZMM5225-ZMM5267是可在DO-35、SOT-23和SOD-123封装中使用的硅平面功率齐纳二极管。其标准齐纳电压公差为±5%（带有“B”后缀）。其他公差可应要求提供。

LM3420系列控制器是专为锂离子可充电电池充电和充电结束控制而设计的单片集成电路。

XN04390 is a composite transistor with two elements incorporated into one package. It consists of a silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) and a silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2). It is designed for digital circuit and switching.

TL�F�5945 CD4009M�CD4009C Hex Buffers (Inverting) CD4010M�CD4010C Hex Buffers (Non-Inverting) 是美国TI公司生产的具有高噪声免疫和低功耗的CMOS集成电路，可用作hex buffers、CMOS到DTL或TTL接口或CMOS电流驱动器。

MIC2211是Micrel的一款低压差双通道LDO，具有150mA、300mA两路输出，输出电压可选，工作电压范围为2.25V至5.5V，采用低功耗陶瓷输出电容，静态电流仅48µA。

LC86P5632是一款CMOS 8位单片机，具有可编程一次的PROM，用于LC865600系列。该微控制器具有LC865600系列掩模ROM版本的功能和引脚描述，以及32K字节PROM。与LC865600系列一样，DIP/QFP封装均可用于装运。它适合初步发布、原型制作、开发和集成测试。

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LC72133M, 72133V 是用于收音机调谐器的锁相环频率合成器LSI电路，支持低电压(2.7至3.6 V)操作，可轻松实现高性能AM/FM调谐器。

这款TMOS功率MOSFET晶体管具有门极发射极ESD保护和门极集电极过压保护，来自SMARTDISCRETES单片电路，可用作点火线圈驱动器。

HGTP3N60C3D和HGT1S3N60C3DS是MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。更低的导通电压损耗仅在25oC和150oC之间略有变化。所使用的IGBT是开发类型TA49113。与IGBT一起反向并联使用的二极管是开发类型TA49055。IGBT非常适合在适度频率下运行的许多高压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要。

PowerPC 405CR是AMCC公司生产的一款32位RISC嵌入式控制器。该控制器具有高性能、外围集成、低成本等特点，非常适合于嵌入式应用。

本数据表介绍了Vishay五种行业标准单通道光电耦合器。这些系列包括4N25/26/27/28型号、4N35/36/37/38耦合器、H11A1/A2/A3/A4/A5、MCT2/2E和MCT270/271/272/273/274/275/276/277器件。每个光电耦合器由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器符合UL标准，可承受5300 V RMS绝缘测试电压。这种绝缘性能是通过Vishay双模塑绝缘制造工艺实现的。通过订购选项1，可以为这些系列产品提供符合VDE 0884部分放电绝缘规范。在存在高绝缘电压的情况下，通过在光电晶体管基板上采用透明离子屏蔽(TRIOS)来确保光电晶体管增益的稳定性。这些绝缘工艺和Vishay ISO9001质量程序提供了目前市面上光电晶体管光电耦合器的最高绝缘性能。这些器件以适合表面贴装的带引线形式提供，可在卷带和卷盘上提供，也可以在标准的管状运输容器中提供。

HFA80FA120是IRF公司生产的一种超快软恢复二极管，其特点是具有快速的恢复时间、电隔离的基板以及大的电气间隙。该二极管可用于高压电源、电子焊机、电机控制和逆变器等应用中。