FAIRCHILD HUF76121P3, HUF76121S3S 数据手册 HUF76121P3, HUF76121S3S 47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs 高性能47A N-通道超低阻抗逻辑电平MOSFET
intersil HUF76121P3, HUF76121S3S 数据手册 这份文件介绍了HUF76121P3和HUF76121S3S两款产品的特点和特性。这些产品是N沟道功率MOSFET，采用了创新的UltraFET™工艺制造。具有逆变模式下高能量耐受能力，二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用领域，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携和电池操作产品的电源管理。
ST ST1S03 data sheet ST1S03是一个降压DC-DC转换器，优化用于在HDD应用中为低电压数字核心供电，并且通常在功耗可能导致应用环境过热时替代高电流线性解决方案。它在输入电压范围为3V到16V之间提供高达1.5A的输出电流。高开关频率（1.5MHz）允许使用微型表面贴装元件：除了电阻分压器来设置输出电压值之外，只需要一个电感、一个肖特基二极管和两个电容。此外，通过电流模式PWM拓扑和低ESR SMD陶瓷电容的使用，可以保证低输出纹波。该器件具有热保护和电流限制功能，以防止因意外短路而造成损坏。ST1S03可在DFN6封装中获得。
SST 2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A Data Sheet(1)(1) 这是一个产品说明书，介绍了 SST39LF200A/400A/800A 这几款产品的特点特性。
SST 2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A Data Sheet(1) 该文件介绍了Silicon Storage Technology公司的SST39LF/VF200A/400A/800A系列产品的特点和特性，包括组织结构、电压要求、可靠性、低功耗、擦除和编程速度等。
intersil HUF76105DK8 数据手册 HUF76105DK8是Intersil公司生产的一款低导通电阻（RDS(ON) = 0.050 Ω）的N沟道功率MOSFET，工作电压为30V，最大电流为5A。该器件适用于需要高功率效率的应用场合，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。
intersil HUF76013P3, HUF76013D3S 数据手册 该文件介绍了HUF76013P3和HUF76013D3S两款20A、20V、0.022 Ohm的N沟道逻辑电平功率MOSFET。这些器件在用作同步降压应用中的上级开关时经过优化，具有低门电荷和低输入电容，从而降低驱动器和开关损耗，提高整个系统的效率。
intersil HUF76009P3, HUF76009D3S 数据手册 HUF76009P3, HUF76009D3S 20A, 20V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs，是Intersil公司生产的一款应用于同步降压开关应用的低门控电荷、低输入电容、高开关速度的MOSFET。
SST 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM SST29EE010, SST29LE010, SST29VE010 该数据表提供了128K x 8 CMOS 页模式 EEPROM SST29EE010, SST29LE010, SST29VE010 的详细信息，包括产品特性、性能参数、封装尺寸等。
FAIRCHILD HUF75945G3, HUF75945P3, HUF75945S3ST 数据手册 HUF75945G3, HUF75945P3, HUF75945S3ST 38A, 200V, 0.071 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs 产品特性包括超低导通电阻、模拟模型和热阻模型
FAIRCHILD HUF75939P3, HUF75939S3ST 数据手册 HUF75939P3, HUF75939S3ST 22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET，特点是低导通电阻 rDS(ON) = 0.125Ω，温度补偿的 PSPICE®和 SABER© 电气模型，Spice和 SABER© 热阻模型
SSI 32D531 Data Separator Write Precompensation Device This is a pdf document that provides information about the SSI32D531-CH chip.
FAIRCHILD HUF75925P3, HUF75925D3ST 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的HUF75925P3和HUF75925D3ST型号的UltraFET®功率MOSFET的特点和特性。其中包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉冲宽度曲线以及UIS评级曲线。
intersil HUF75852G3 数据手册 HUF75852G3 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET，是一款具有超低导通电阻的功率MOSFET，其导通电阻为0.016欧姆，工作电压为150V，额定电流为75A。
intersil HUF75842P3, HUF75842S3S 数据手册 HUF75842P3, HUF75842S3S 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET具有超低的导通电阻（rDS(ON) = 0.042Ω，VGS = 10V），支持温度补偿的PSPICE®和SABER™电气模型、Spice和SABER热阻抗模型，供您下载使用。
