CD TECHNOLOGIES 78253 SEIRES 数据手册 78253系列转换器变压器专为与MAX253芯片组配合使用，提供隔离电源。5V版本可提供1W，3.3V版本可提供500mW。中心引出的次级绕组可用于全桥、半桥或倍压。表面贴装器件完全兼容CECC00802，可与IC一起放置和回流焊接，从而减少生产时间和成本。
ST 74LX1G126 数据手册 74LX1G126是一款低压CMOS单总线缓冲器，采用亚微米硅栅极和双层金属互连C2MOS技术制造。3状态控制输入G必须设置为低电平，以将输出置于高阻状态。所有输入都具有掉电保护，并且可以从0到7V接收输入，而不管电源电压如何。此设备可用于接口5V到3V。所有输入和输出都配备了防静电保护电路。
philips 74LV574 Octal D-type flip-flop positive edge-trigger (3-State) 数据手册 74LV574是低压Si-gate CMOS器件，兼容74HC/HCT574，是八位D类型触发器，具有独立的D类型输入和非反相3状态输出
philips 74ALVCH16373 2.5V/3.3V 16-bit D-type transparent latch (3-State) 数据手册 该文档介绍了74ALVCH16373 2.5V/3.3V 16位D型透明锁存器（3态）的特点和特性，包括宽电压范围、低功耗、多字节流通标准引脚布局等。
TEXAS INSTRUMENTS SN54LVTH162244, SN74LVTH162244 数据手册 该文档介绍了一款名为SCBS258M的产品的特点特性。该产品属于德州仪器的Widebus系列，具有22-Ω等效串联电阻，无需外部电阻，支持混合信号操作，支持5V输入和输出电压与3.3V的VCC，支持未调节的电池操作，具有低输出地弹跳、Ioff和上电3态支持热插拔、数据输入上带有总线保持功能，无需外部上拉/下拉电阻，分布式的VCC和GND引脚降低高速切换噪声，流通架构优化PCB布局，抗拉伸性能超过500mA，ESD保护超过2000V。
TEXAS INSTRUMENTS CD54HC4049, CD74HC4049, CD54HC4050, CD74HC4050 数据手册 该文件介绍了Harris Semiconductor的SCHS205I型号产品的特点和特性，包括传播延迟、电压级转换、工作温度范围、平衡传播延迟和转换时间等。
National Semiconductor 54F/74F322 数据手册 54F322 Octal Serial Parallel Register with Sign Extend 是National Semiconductor Corporation 的一款8位移位寄存器，它可以串行或并行加载，并且具有TRI-STATE并行输出和双态串行输出。并行数据输入和并行输出经过多路复用以最小化引脚计数。状态变化由时钟上升沿触发。可能有四种同步操作模式：保持（存储）；右移带串行输入；右移带符号扩展和并行加载；异步主复位（MR）输入覆盖时钟操作并清除寄存器。
Agilent Technologies 5082-761x Series, 5082-762x Series, 5082-765x Series, 5082-766x Series, HDSP-360x Series, HDSP-460x Series, HDSP-E15x Series 数据手册 HDSP-5082系列共阴极LED显示管是高亮度、低功耗和大视角的LED显示管。该系列产品采用优质的AlGaAs红色、HER红色、黄色和绿色发光二极管，具有均匀的光照和良好的对比度。该系列产品具有多种不同的封装，包括7.6mm、10.9mm和16.2mm，可满足不同的应用需求。
FAIRCHILD 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, H11A1, H11A2, H11A3, H11A4, H11A5 数据手册 该文件介绍了一种通用光电晶体耦合器，由镓砷化物红外发射二极管和硅光电晶体组成，具有6引脚双列直插封装。该产品可用于电源调节器、数字逻辑输入和微处理器输入等应用。
Mii 4N22, 4N23, 4N24 数据手册 该文档介绍了MICROPAC INDUSTRIES, INC. OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION的单通道光电耦合器产品的特点和特性，包括整体电流增益、传统晶体管偏置、坚固的封装、高增益高压晶体管、1kV电气隔离等。产品可用于消除接地回路、电平转换、线路接收器、开关电源和电机控制等应用。
ST M68AW127B 数据手册 M68AW127B 1Mbit (128K x8), 3.0V Asynchronous SRAM 是 3.0V 的异步 SRAM，具有低功耗和低电压数据保持特性。它具有 128K x 8 位、低待机电流和等效周期和访问时间。
MITSUBISHI ELECTRIC M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR -70VL,-10VL,-12VL,-15VL,-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL 数据手册 M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR是一款1048576位的CMOS静态RAM，采用高性能三层多晶硅CMOS技术制造。它们具有低待机电流和低工作电流，非常适用于电池备份应用。
