ASI ALR325 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ALR325是Advanced Semiconductor Inc.公司生产的一款硅基射频功率晶体管，其最大输出电流为18.75A，最大输出功率为730W，工作温度范围为-65℃至250℃，封装形式为2L FLG(A)。
ASI ASAT10 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文档介绍了ASI ASAT10型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和特点。它具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
ASI ASAT15 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASAT15是ASI公司生产的一款NPN硅基射频功率晶体管，具有Omnigold金属化系统、最大电流3.0A、最大电压45V、最大功率37.2W等特点
ASI BLV33F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了ASI BLV33F型号的产品特点和特性，适用于170至230MHz的Band III TV变频器和发射放大器。
ASI MRF427 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 MRF427是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，适用于高压应用，最高工作频率可达30MHz。该器件具有以下特点：PG = 18 dB min. at 25 W/30 MHz、IMD3 = -34 dBc max. at 25 W(PEP)、Omnigold™ Metalization System
ASI ASI1010 数据手册 ASI1010是Advanced Semiconductor公司的一款NPN硅RF功率晶体管，主要用于通用的Class C功率放大器应用，工作频率范围高达1500MHz。该产品具有PG = 12 dB min. at 10 W/ 1,000 MHz的特点，并采用了Hermetic Microstrip Package和Omnigold™ Metalization System封装工艺。
