工业器械 - 第2500页

MIEEL SP5848 2.2/1.3GHz 3-Wire Bus Dual Low Phase Noise PLL Data Sheet

SP5848 2.2/1.3GHz 3-Wire Bus Dual Low Phase Noise PLL 是一款双独立PLL频率合成器，封装在单个芯片中，针对双转换有线调谐器进行了优化，可提供改进的应用。

TEXAS INSTRUMENTS SN54BCT244, SN74BCT244 OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS Data Sheet

SN54BCT244, SN74BCT244是具有3-状态输出的8位缓冲器/驱动器，旨在提高3-状态存储器地址驱动器、时钟驱动器和总线定向接收器和发射器的性能和密度。

intersil EL8171, EL8172 数据手册

EL8171, EL8172微功率单电源，Rail-to-Rail输入输出仪表放大器

DALLAS DS4802 Low Voltage, Micro Power, High Performance, Rail-To-Rail Dual Op-Amp 数据手册

该数据表格介绍了DS4802的功能特性，包括非常低的功耗、高输出电流、1.8V到5.5V的供电电压范围、电压范围为0.95mV的输入偏置电压、25µA的最大IDD和10pA的典型输入偏置电流，使其成为测量、医疗和工业应用的理想选择。

DALLAS DS2438 Smart Battery Monitor 数据手册

DS2438是一款智能电池监控器，它具有多种功能，包括为电池组提供唯一的64位序列号、测量电池电压和电流、计算电池电量、测量电池温度等。

DALLAS DS2148/DS21Q48 5V E1/T1/J1 Line Interface 数据手册

该文档介绍了一种完整的E1、T1或J1线接口单元（LIU），支持长距离和短距离传输，具有内部软件可选择的接收端终止功能，并支持多种时钟输出和编码/解码功能。

DALLAS DS1742 Y2KC Nonvolatile Timekeeping RAM 数据手册

DS1742是一款完整功能、Y2KC兼容的、实时时钟/日历（RTC）和2k x 8非易失性静态RAM。用户可以通过字节宽接口访问DS1742中的所有寄存器，如图1所示。实时时钟（RTC）信息和控制位驻留在八个最上面的RAM位置。RTC寄存器与静态RAM寄存器共享地址空间，但不能在同一时刻访问。

MAXIM DG304(A) Data Sheet(1)

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IXYS DE375-501N21A Data Sheet

DE375-501N21A RF Power MOSFET 是一款由 IXYS 公司生产的 RF 功率 MOSFET，其最大额定值为 VDSS = 500 V，ID25 = 25 A，RDS(on) = 0.22 Ω，PDC = 940 W。其特点是具有高隔离电压（>2500V）、优异的热传导、增加的温度和功率循环能力、低栅极电荷和电容、更容易驱动、更快的开关、低 RDS(on)、非常低的插入电感（<2nH）以及无氧化铍（BeO）等有害物质。

DIODES DDZX9689TS - DDZX9717TS Data Sheet

这份文档介绍了Pb Lead-free DS30412 Rev. 3 - 2 1 of 6 DDZX9689TS - DDZX9717TS产品的特点和特性，包括非常尖锐的击穿特性、VZ的非常严格的公差、非常适合自动组装过程、非常低的漏电流以及符合RoHS标准的无铅设计。

DYNEX DCR3480B52 Data Sheet

该文件介绍了DCR3480B系列双面冷却的相控可控硅的特点和应用领域。

CYPRESS CY8C27143, CY8C27243, CY8C27443, CY8C27543, and CY8C27643 Data Sheet

该数据表详细介绍了PSoC™混合信号阵列的功能和特性

CYPRESS CY7C1561V18 CY7C1576V18 CY7C1563V18 CY7C1565V18 72-Mbit QDR™-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 数据手册

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CYPRESS CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 36-Mbit QDR™-II SRAM 2-Word Burst Architecture 数据手册

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CYPRESS CY7C1381D, CY7C1381F CY7C1383D, CY7C1383F 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM 数据手册

该数据手册提供了18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM CY7C1381D, CY7C1381F CY7C1383D, CY7C1383F的特性信息，包括支持133 MHz bus operations、512K × 36 and 1M × 18 common IO、3.3V core power supply (VDD)、2.5V or 3.3V IO supply (VDDQ)、Fast clock-to-output time — 6.5 ns (133 MHz version)、Provides high performance 2-1-1-1 access rate等。