工业器械说明书 - 第2091页

MAXIM DS4305 数据手册

DS4305是低成本可调电压参考,在工厂里可通过自动调整技术进行校准,应用于电源校准、阈值设置、偏移消除、偏置调整、功率放大器、压力桥和工厂校准设备等方面

DS4303是一种非易失性（NV）的可调电压参考电源，可在工厂校准/编程期间在电路中进行编程。通过在VIN上应用所需电压并切换调整引脚（ADJ）来锁定VOUT电压水平，即使设备断电也能保持不变。DS4303可替代目前复杂的工厂调整方案，采用低成本解决方案，可使用自动化技术进行调整。此外，DS4303还具有在完全组装和测试之后进行重新调整的能力。这将带来更灵活的制造安排、更低的库存成本和更快的上市时间。

MAXIM DS4302 数据手册

DS4302是一个5位数字模拟转换器(DAC)，具有三个可编程的数字输出。DS4302通过2线、SMBus™兼容的串行接口进行通信。微型8引脚µSOP封装非常适合在空间受限的应用中使用。应用领域包括CCFL背光亮度控制和电源校准。

MAXIM DS4301 数据手册

DS4301是一款单通道32位线性数字电位器，具有200kΩ的端到端电阻。其擦拭器设置存储在EEPROM中，因此DS4301上电时会恢复到上次的设置。擦拭器位置通过一个简单的三端口递增/递减接口进行控制。DS4301特别适用于白色LED背光亮度控制，并且其8引脚µSOP封装、2.4V至5.5V的供电范围和200kΩ的端到端电阻特别适用于便携式电池供电应用，如手机和PDA。

AMD DS42587 数据手册

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AMD DS42585 数据手册

DS42585 是 AMD 开发的一款叠层多芯片封装（MCP）闪存和 SRAM 产品，由 Am29DL324D 底部引导 32 兆位（4 M x 8 位/2 M x 16 位）CMOS 3.0 伏特仅限、同时操作闪存和 8 兆位（1 M x 8 位/512 K x 16 位）静态 RAM 组成。

AMD DS42553 数据手册

该文件介绍了AMD DS42553 Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM 的特性特点。

AMD DS42516 数据手册

该文件介绍了AMD DS42516 Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM产品的特点特性，包括：该产品的供电电压为2.7到3.3伏，最高性能为90纳秒，包装为73-Ball FBGA，工作温度为–25°C到+85°C。

AMD DS42515 数据手册

DS42515是AMD正在研发的一款存储器产品，该产品采用3.0伏电压，最大访问时间为85ns，工作温度为-25°C到+85°C。该产品具有同时读写、零延迟、安全存储、零电力等特点。

AMD DS42514 数据手册

该文档介绍了Advanced Micro Devices正在开发的一款产品的信息，旨在帮助用户评估该产品。该产品是一款堆叠式多芯片封装闪存和静态RAM。闪存容量为16兆比特，静态RAM容量为4兆比特。具有2.7至3.3伏的电源电压，85纳秒的最大访问时间，69球FBGA封装，工作温度为-25至+85摄氏度。闪存具有同时读写操作、安全硅区域、零功率操作等特点。

DALLAS DS4201 数据手册

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MAXIM DS4125/DS4155/DS4156/DS4160/DS4311/DS4312/DS4622/DS4776 数据手册

DS4125/DS4155/DS4156/DS4160/DS4311/DS4312/DS4622/DS4776 DS4-XO系列晶体振荡器是基于晶体的时钟振荡器，使用PLL技术提供最终输出频率。每种设备都提供LVDS或LVPECL输出类型。输出使能引脚是活动高逻辑。这些时钟振荡器具有非常低的瞬态抖动和相位噪声。典型的相位抖动为<0.6psRMS，从12kHz到20MHz。这些器件设计用于在3.3V ±5%电源电压下工作，并提供5.0mm x 3.2mm x 1.49mm、10针LCCC表面贴装陶瓷封装。

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