central CMPD7000 DUAL SILICON SWITCHING DIODE SERIES CONNECTION 数据手册 CMPD7000是中央半导体生产的超高速度硅开关二极管，制造工艺采用异质平面工艺，封装为环氧树脂模压表面安装封装，连接在串联配置中，设计用于高速开关应用。
central CMPD6001 CMPD6001A CMPD6001C CMPD6001S SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE 数据手册 该数据表是关于CMPD6001系列产品的规格参数信息
Central CMPD5001 CMPD5001S 数据手册 该文件介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD5001系列的硅开关二极管，适用于需要极高电流能力的感性负载开关应用。该产品具有低反向电流、高正向电流和高电流能力等特点。
Central CMPD2836/CMPD2838 数据手册 Central Semiconductor CMPD2836和CMPD2838型号是超高速度开关二极管，采用外延平面工艺制造，采用环氧树脂模压表面贴装封装，适用于高速度开关应用。
Central CMPD2005S 数据手册 中央半导体CMPD2005S是双在系列高压硅开关二极管，最大反向电压为300V，最大反向电流为200mA，最大正向电流为225mA，最大正向冲击电流为1.0A，正向导通压降为1.25V
Central CMPD2003 CMPD2003C CMPD2003S CMPD2004 CMPD2004C CMPD2004S 数据手册 该文件是关于CMPD2003, CMPD2003C, CMPD2003S, CMPD2004, CMPD2004C, and CMPD2004S类型的硅开关二极管的数据表，这些二极管由外延平面工艺制造，适用于需要高电压能力的应用。
Central CMPD1001 CMPD1001A CMPD1001S 数据手册 CMPD1001是Central Semiconductor Corp.生产的一款高电流开关二极管。它具有最大反向电压90 V、最大正向电流250 mA、最大重复正向电流600 mA、最大重复反向电流600 mA、瞬态正向电流6000 mA、瞬态正向电流1000 mA、功耗350 mW、工作和存储结温-65到+150 oC、热阻357 oC/W。
ANALOG DEVICES 23 ns and 65 ns Low Voltage Comparators CMP401/CMP402 数据手册(1) CMP401/CMP402是一款23ns和65ns低压比较器，支持3V和5V逻辑，独立的输入和输出电源，宽输入范围：-5V到+3.9V。
ANALOG DEVICES 23 ns and 65 ns Low Voltage Comparators CMP401/CMP402 数据手册(1) CMP04是Analog Devices的一款低功耗精密比较器，具有高增益、单电源或双电源工作、输入电压范围包括地、低功耗消耗、低输入偏置电流、低输入偏移电流、低偏移电压、低输出饱和电压等特点。
