FAIRCHILD FQP19N20C/FQPF19N20C 说明书 本文介绍了FQP19N20C/FQPF19N20C QFET® 200V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有低通态电阻、优良的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于高效率开关DC/DC变换器、开关电源、DC-AC变换器和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQP17P06 说明书 FQP17P06 是一款具有 60V 耐压能力的 P 沟道 MOSFET，采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力的特点，非常适合汽车、DC/DC 转换器等低压应用
FAIRCHILD FQD1N80 / FQU1N80 说明书 这份文档介绍了FQD1N80 / FQU1N80型号的800V N-沟道MOSFET产品，采用Fairchild公司的专有技术生产。产品具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，非常适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQD20N06/FQU20N06 说明书 FQD20N06 / FQU20N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild公司的一种高性能功率场效应晶体管，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用
FAIRCHILD FQD2N60C / FQU2N60C 说明书 这是一份产品手册，介绍了FQD2N60C/FQU2N60C的特性，包括RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为8.5 nC）、低Crss（典型值为4.3 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等。
FAIRCHILD FQD2N80/FQU2N80 说明书 FQD2N80 / FQU2N80 是Fairchild生产的800V N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、高频开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQD2P40/FQU2P40 说明书 FQD2P40 / FQU2P40 是一款400V P型通道 MOSFET，采用Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有极低的开关损耗、快速的开关速度和高耐压能力，适用于电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQD30N06/FQU30N06 说明书 FQU30N06 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一种功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该技术具有极低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力，非常适合用于低压应用，例如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中高效的电源管理。
FAIRCHILD FQD3N60C/FQU3N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 QD3N60C/FQU3N60C N沟道增强型MOSFET，额定电压600V，额定电流2.4A，开关特性好，无需外部电阻，适用于开关电源、电子灯调光等场合。
FAIRCHILD FQD3P50/FQU3P50 500V P-Channel MOSFET 数据手册 这个文档介绍了FQD3P50 / FQU3P50 500V P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速开关速度等。
FAIRCHILD FQD4N20/FQU4N20 200V N-Channel MOSFET 数据手册 本文档介绍了华为企业级网络解决方案的关键技术、部署模式和典型应用，并详细阐述了华为云网融合解决方案的优势，包括多维可编程、多云融合、灵活智能、安全可靠等特点。通过本文档，你可以了解到华为企业级网络解决方案的关键技术和优势，并在华为云上快速构建适合你的企业级网络解决方案。
