TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Lateral) SSM3K11T 数据手册 SSM3K11T是一种TOSHIBA场效应晶体管硅N沟道MOS型（横向）器件。它适用于DC-DC转换器高速开关应用，具有超高速开关、低反向传输电容、薄型封装和低导通电阻等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 数据手册(1) 该文档介绍了TOSHIBA品牌的SSM3K09FU型号场效应晶体管的特点和特性，适用于高速开关应用。其特点包括封装小、低导通电阻等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 数据手册 该文件介绍了 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 的特点和特性，适用于高速开关应用，具有小封装和低导通电阻等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K05FU 数据手册 该文件介绍了TOSHIBA的SSM3K05FU型号场效应晶体管的特点和特性，包括小尺寸、低导通电阻和低门阈电压等。
ALTERA DC and Switching Characteristics, Stratix IV Device Handbook 说明书 这份文件是Altera公司Stratix IV系列器件的规格说明书，主要介绍了该系列器件的电气特性、开关特性、I/O时序等信息
ALTERA Design Debugging Using the SignalTap II Logic Analyzer, Quartus II 说明书 本手册介绍了如何使用Altera SignalTap II逻辑分析仪进行设计调试。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K03FE 数据手册 SSM3K03FE是由TOSHIBA生产的N沟道MOS场效应晶体管，其特点是2.5V栅极驱动、高输入阻抗、低栅极阈值电压(Vth=0.7~1.3V)、小封装。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K02F 数据手册 SSM3K02F是东芝公司生产的一款N沟道MOS管，其主要特性包括：低阻抗、低门限电压、高开关速度等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01T 数据手册 该文档介绍了SSM3K01T型号的TOSHIBA场效应晶体管的特性和特点，包括高速开关应用、小型封装、低导通电阻和低门阈电压。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J14T 数据手册 SSM3J14T 是东芝公司生产的一款P沟道MOS型场效应晶体管，适用于功率管理开关DC-DC转换器，具有体积小、开关速度快、低阻抗等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T 数据手册 SSM3J13T是TOSHIBA公司生产的一款P沟道MOS类型的场效应晶体管，具有小封装、低导通电阻、低栅极阈值电压等特点，适用于高频开关应用
