ST AN1256 数据手册 该应用笔记介绍了STMicroelectronics的最新产品SD2933，这是一款单端、50 V、300 W、金（Au）金属化的N通道垂直功率MOSFET，设计用于高达150 MHz，具有极高的增益和增强的热封装，非常适合各种应用，包括等离子体生成、激励和FM广播应用。
ST AN1316 数据手册 MDmesh™ 多沟道金属网状场效应晶体管（MOSFET）是 ST 研发的一种高电压功率 MOSFET，采用了新型的垂直沟道结构和 ST 成熟的 Mesh Overlay™ 金属网状布局。采用这种结构的 MOSFET 电阻更低，导通电压更低，耐压能力更强。
Allegro A1373/A1374 数据手册(1) A1373和A1374是Allegro MicroSystems, Inc.生产的高精度线性霍尔效应传感器，具有外部可编程功能。它具有极低的偏移和最小的温度漂移。它可以用于汽车和工业的线性位置传感应用，这些应用需要比传统的接触式电位计解决方案更高的可靠性和准确性。
ST AN1485 数据手册 介绍了一种新型高压MOSFET结构，该结构在静态和动态性能方面远远超过传统的功率MOSFET器件。该器件的特殊特性对DC-DC升压转换器的影响已在一个案例中分析和量化，该DC-DC升压转换器用于功率因数校正器(PFC)转换器。讨论了对该组件的电气和热行为进行分析所得出的结果。
ST AN1387 APPLICATION NOTE 数据手册 介绍了STMicroelectronics的新型电力设备的特点，该设备融合了STMicroelectronics快速开关PowerMESH™IGBT的特点和一些新型保护功能。电力设备中集成了驱动电路，以实现过电流保护和软热关断。电流限制还确保了高短路定额的设备。此外，低阈值电压和输入电流使其能够直接从微处理器的输出引脚驱动该设备。将说明该设备的静态和动态行为，并建议使用一种应用。
ST AN1491 APPLICATION NOTE 数据手册 本文档介绍了IGBT的结构和工作原理，以及其主要静态和动态特性。此外，还对其运行行为进行了更详细的分析和讨论，以提供该功率组件的关键参数、特性和静态和动态行为的全面概述。
ST AN1506 APPLICATION NOTE 数据手册 本文件介绍了一种低压大电流功率MOSFET的设计方法，该方法采用了新的条带型结构，具有低导通电阻和优异的抗冲击能力。这种MOSFET适用于高电流低电压转换器应用。
ST AN1597 APPLICATION NOTE 数据手册 本文介绍了一种设计和制造高功率高性价比功率电子模块的创新技术，使用了高性能高性价比的IGBT组装在塑料封装中。该技术允许在功率处理、可靠性和成本方面优化功率开关设备和转换器。这种设计非常适合汽车应用所需的大规模生产。
ST AN1731 APPLICATION NOTE 数据手册 本文介绍了应用于紧急照明的拓扑结构以及STMicroelectronics的功率双极晶体管的使用。STSA851是一种功率双极晶体管，具有高增益性能和低饱和电压。它适用于紧急灯的驱动电路。
ST AN1722 APPLICATION NOTE 数据手册 本技术文件介绍了如何使用集成电路TSM108、PNP功率双极型晶体管STN790A、或P通道功率MOSFET STS3DPFS30、NPN功率双极型晶体管STSA1805和二极管1N5821来设计和实现CCFL应用
