工业器械 - 第1406页

ST AN3362 Application note

该应用笔记介绍了用于STM32F2xx微控制器系列的时钟系统配置工具。该工具的目的是帮助用户配置微控制器的时钟，考虑到产品参数，如电源和Flash访问模式。该工具支持对STM32F2xx的以下功能进行配置：系统时钟、HCLK源和输出频率的配置；Flash延迟（根据HCLK频率的等待状态数）的配置；PCLK1、PCLK2、TIMCLK（定时器时钟）、USBCLK和I2SCLK频率的设置；生成一个包含所有上述设置的可用的system_stm32F2xx.c文件（STM32F2xx CMSIS Cortex-M3设备外围访问层系统源文件）。在使用时钟工具之前，必须阅读STM32F2xx微控制器参考手册（RM0033）。该工具仅支持STM32F2xx的B版和Y版。

ST AN3365 Application note

本应用笔记介绍了一种基于开源SSL/TLS库PolarSSL的演示包，该演示包可在STM32F217xx微控制器上实现安全套接字层(SSL)和传输层安全(TLS)。

FAIRCHILD FDP4020P/FDB4020P 数据手册

FDP4020P/FDB4020P 是飞利浦半导体公司推出的一款 P 通道低阈值 MOSFET，该器件具有 -16A、-20V 的额定电流和电压，RDS(on) 可低至 0.08 欧姆。该器件可以用作低压输出线性开关，也可以用作 DC-DC 转换器的 P 通道开关。

FAIRCHILD FDP39N20 数据手册

FDP39N20是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速切换、100%雪崩测试等特点，适用于高效开关电源和有源功率因数校正等应用。

ST AN3248 应用笔记

本文档介绍了STM32L1超低功耗产品线中嵌入的两个模拟比较器的六个应用案例。这些应用案例包括：模拟电压监测、停机模式下的模拟看门狗、脉宽测量、脉宽调制（PWM）信号控制、电容测量以及使用光敏电阻（LDR）进行亮度控制。这些应用案例展示了模拟比较器的实用性，并展示了它们如何与其他外设集成，例如数字到模拟转换器（DAC）和定时器。

FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 数据手册

FDB3682 / FDP3682 是一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，具有 100V、32A、36mΩ 的特点。

FAIRCHILD FDP3672 数据手册

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FAIRCHILD FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 数据手册

该文档是关于Fairchild Semiconductor Corporation 于2002年发布的FDB3652/FDP3652/FDI3652 N-Channel PowerTrench® MOSFET的产品信息手册

ST AN3258 应用笔记

介绍了一种基于 LIN 自动重同步功能对 STM8A/S 高精度内部 RC 振荡器进行校准的方法

FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 数据手册

该文件介绍了FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 N沟道PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括低电阻、低Miller电荷、低QRR Body二极管等。它适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统。

FAIRCHILD FDP2670/FDB2670 数据手册

该文档介绍了FDP2670/FDB2670型号的200V N-Channel PowerTrench MOSFET。该产品适用于隔离的DC/DC转换器应用中的主边开关。具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要200V MOSFET的任何应用。采用高性能沟道技术，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。支持高功率和电流处理能力。

ST AN3270 应用笔记

AN3270 STM8L16x AES硬件加速器应用笔记介绍了如何使用STM8L16x的AES硬件加速器,并提供了一些常用的AES链路模式的实现.

FAIRCHILD FDB2572 / FDP2572 数据手册

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FAIRCHILD FDP2570/FDB2570 数据手册

这是一份关于Fairchild Semiconductor Corporation FDP2570/FDB2570型号的150V N-Channel PowerTrench MOSFET的说明书。该MOSFET设计用于隔离式DC/DC变换器应用中的主边开关。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要150V MOSFET且要求低开关电阻和快速开关的应用。该MOSFET具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，使其易于驱动（即使在很高的频率下），并且能够提高整体效率的DC/DC电源设计。

FAIRCHILD FDB2552 / FDP2552 数据手册

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