工业器械 - 第1395页

ST STF40NF06 数据手册

该文件介绍了STF40NF06 N-CHANNEL MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、高dv/dt能力、低栅极电荷等。该产品适用于DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、高电流高速开关以及电磁阀和继电器驱动等应用。

ST STF4045DF/STF4045DV 数据手册

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ST STF4045AF/STF4045AV 数据手册

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ST STP3NK80Z/STF3NK80Z/STD3NK80Z/STD3NK80Z-1 数据手册

该文件介绍了STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3.8Ω - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET的特点特性。产品具有极高的dv/dt能力，100%经过雪崩测试，门电荷最小化，本征电容非常低，制造重复性非常好。

ST STP3HNK90Z/STF3HNK90Z 数据手册

STP3HNK90Z - STF3HNK90Z是一种N沟道超MESH™功率MOSFET，具有900V工作电压，3.5Ω的典型导通电阻，3A的额定电流。该产品具有极高的dv/dt能力，100%经过雪崩测试，门电荷最小化，固有电容非常低，制造重复性非常好。

ST STF2NK60Z/STQ2NK60ZR-AP/STP2NK60Z/STD2NK60Z-1 数据手册

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2Ω - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET 是ST公司生产的一款高性能MOSFET器件，其特点是RON典型值为7.2Ω，极高dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新一代高压基准，栅极电荷最小化。适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源(SMPS)、低功率、镇流器、CFL(紧凑型荧光灯)等应用。

ST STQ2HNK60ZR-AP/STF2HNK60Z/STD2HNK60Z-1 数据手册

这是ST发布的STQ2HNK60ZR-AP，STF2HNK60Z，STD2HNK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 4.4Ω - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET的数据手册。该系列产品具有极高的dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新的高电压基准，门极电荷最小化等特点。

ST STF2907A 数据手册

STF2907A是一款小信号PNP晶体管，适用于便携设备，具有高增益和低饱和电压。

ST STP25NM60N, STF25NM60N, STB25NM60N/-1, STW25NM60N 数据手册

STP25NM60N 是一款由第二代 MDmesh 技术制造的 N 沟道 600V 0.140 欧姆 - 20A TO-220 / FP / D² / I²PAK / TO-247 功率 MOSFET。它具有世界上最低的导通电阻和门极电荷。它非常适合最苛刻的高效转换器。

ST STP25NM50N, STF25NM50N, STB25NM50N/-1, STW25NM50N 数据手册

STx25NM50N 是第二代 MDmesh 技术的产物，具有极低的导通电阻和栅极电容。适用于对效率要求最严苛的高压转换器

ST STP22NM60/STF22NM60/STB22NM60/STB22NM60-1/STW22NM60 数据手册

STP22NM60是ST公司的一款N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh™Power MOSFET，具有低输入电容和门极电荷，100%防雪崩测试，非常适合提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高效率。

ST STP22NM50/STP22NM50FP/STB22NM50/STB22NM50-1 数据手册

该文件介绍了STP22NM50和STB22NM50系列N沟道功率MOSFET的特点和特性，如低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性。

ST STF2222A 数据手册

STF2222A是小信号NPN晶体管，SOT-89塑料封装，具有高增益和低饱和电压。适用于便携式设备的小负载开关晶体管。

ST STP21NM50N/STF21NM50N/STW21NM50N/STB21NM50N/STB21NM50N-1 数据手册

STB21NM50N是ST公司推出的一款N沟道500V-0.15Ω-18A的MOSFET，采用第二代MDmesh技术，具有100%雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点，适用于高效率转换器。

ST STP20NM60FD/STF20NM60D/STW20NM60FD 数据手册

STP20NM60FD / STF20NM60D / STW20NM60FD 是 N 通道 600V - 0.26Ω - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh™ POWER MOSFET (with FAST DIODE)，具有典型的 RDS(on) = 0.26Ω、高 dv/dt 和雪崩能力、100% 雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻、严格的工艺控制和高制造良率。它强烈推荐用于桥接拓扑，特别是 ZVS 相移变换器。应用包括 ZVS 相移全桥变换器用于 SMPS 和焊接设备。