ST 74V2G03 数据手册 74V2G03 是一个高性能 CMOS 双 2 输入开漏 NAND 门，采用亚微米硅栅双层金属布线 C2MOS 技术制造。内部电路由 3 个阶段组成，包括缓冲输出，可提供高噪声免疫性和稳定输出。借助外部上拉电阻，器件可用于有线 AND 配置。该器件还可用作需要电流下拉的任何其他应用中的 LED 驱动器。所有输入均提供掉电保护，并且 0 至 7 V 可被输入，而无视电源电压。该器件可用于 5V 到 3V 的接口。
ST 74V1T79 数据手册 该文件介绍了一种高速CMOS单正边沿触发的D型触发器。该触发器采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造，适用于4.5V至5.5V的工作电压范围。它具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点，可用于接口5V至3V系统。
ST 74V1T70 数据手册 74V1T70是采用C2MOS工艺制成的高性能高速CMOS单缓冲器，具有高噪声免疫性和稳定的输出。提供输入电源下拉保护，输入电压范围为0-7V，无需考虑电源电压。该器件可用于5V到3V的接口。
