ST M74HC02 QUAD 2-INPUT NOR GATE 数据手册 M74HC02是高性能CMOS四路2输入NOR门，采用硅栅C2MOS工艺制造，内部电路由3级缓冲输出组成，具有高噪声免疫性和稳定的输出。所有输入都配备了保护电路，防止静电放电和瞬态过压。
ST M74HC00 QUAD 2-INPUT NAND GATE 数据手册 M74HC00是高速度 CMOS 四个 2 输入 NAND 门，采用硅栅 C2MOS 技术制造。内部电路包括 3 个阶段，包括缓冲输出，从而实现高噪声免疫性和稳定输出。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。
CEL NE680 SERIES 数据手册 NEC的NE680系列是NPN外延硅晶体管，设计用于低噪声、高增益和低成本应用。适用于高达6 GHz的应用。NE680芯片和微型版本都适用于高达6 GHz的应用。NE680芯片还提供了六种不同的低成本塑料表面贴装封装样式。NE680的高fT使其非常适合低电压/低电流应用，最低可达0.5 V / 0.5 mA。NE680系列的最大IC为35 mA。对于更高电流应用，请参阅NE681系列。
CEL NE67400, NE67483B 数据手册 NE674是NEC的一种L到Ku波段低噪声GaAs MESFET，采用凹入0.3微米的栅极和三重外延技术，具有低噪声系数和高关联增益。该器件适用于放大器和振荡器应用。该器件采用锡密封的金属陶瓷封装，用于提高太空应用的可靠性。
CEL NE677M04 数据手册 NE677M04是NEC的一种高频NPN三极管，具有高增益带宽、高输出功率和高线性增益等特性。该产品采用NEC的HFT3晶圆工艺制造，封装为M04，具有SOT-343的接脚布局和0.59mm的高度。
NEC NE678M04 数据手册 NE678M04是一款中功率NPN硅高频晶体管，具有高增益带宽、高输出功率和高线性增益等特点。适用于100 MHz至3 GHz的应用领域，特别适用于移动或固定无线应用的驱动级别。该产品采用NEC的HFT3晶片工艺制造，具有12 GHz的过渡频率。
NEC NE662M16 数据手册 NE662M16是NEC公司的一款NPN硅高频晶体管，具有高增益带宽（fT=25GHz），低噪声系数（NF=1.1dB@2GHz），高最大稳定增益（20dB@f=2GHz），采用低封装（M16），高度仅为0.50mm。
