ST STE48NM60 数据手册 STE48NM60是ISOTOP公司的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)仅为0.09Ω，dv/dt和AVALANCHE能力都很高，并且100%通过了AVALANCHE测试，同时输入电容和栅极电荷很低，栅极输入电阻很低，具有严格的工艺控制和高的制造产量。该产品适用于提高高压转换器的功率密度，从而实现系统小型化和更高效率。
ST STE45NK80ZD 数据手册 STE45NK80ZD是ST公司生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)典型值为0.11 Ω，dv/dt能力极高，100%进行了雪崩测试，栅极电荷最小化，固有电容极低，制造重复性非常好。该产品适用于高电流、高速度开关应用，非常适合于焊接设备。
ST STE40NK90ZD 数据手册 这份文件介绍了STE40NK90ZD N-CHANNEL 900V - 0.14Ω - 40 A ISOTOP Super FREDMesh™ MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的栅极电荷、极低的内部电容以及优良的制造重复性。该产品适用于高电流、高速开关和焊接设备。
ST STE40NC60 数据手册 该文件介绍了STE40NC60 N-CHANNEL 600V - 0.098Ω - 40A ISOTOP PowerMesh™II MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、新的高压基准、最小化的门电荷等。
ST STE40NA60 数据手册 STE40NA60 是 N 通道增强模式快速功率 MOS 晶体管。具有典型的 RDS(on) = 0.12 欧姆、高电流功率模块、极强的抗雪崩能力、极大的 SOA、极大的电流峰值能力、便于安装、两个源端子具有相同的电流能力、极低的 Rth(Junction to case)、极低的内部寄生电感、隔离封装。
ST STE38NB50F 数据手册 STE38NB50F是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET。这款MOSFET的特点是导通电阻低，耐高电压，具有非常高的dv/dt能力。应用场景包括高电流、高速度开关、开关电源、电焊机、不间断电源以及电机驱动。
ST STE38NB50 数据手册 STE38NB50 N - CHANNEL 500V - 0.11 Ω - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET是SGS-Thomson设计的一款具有出色性能的高压MOSFET。这款产品具有最低的RDS(on)、出色的齐纳击穿和dv/dt性能以及无与伦比的门控电荷和开关特性。
ST STE26N50 数据手册 STE26N50是N沟道增强型功率MOS晶体管，它采用ISOTOP封装，具有高电流、大功率、超低RDS(on)、极低Rthj-case等特点。该晶体管适用于SMPS、UPS、电机控制、焊接设备等工业应用场合。
ST STE250NS10 数据手册 STE250NS10是ISOTOP推出的一款N沟道100V-0.0045 Ω-220A的STripFET™ POWER MOSFET，具有典型RDS(on)=0.0045Ω，标准阈值驱动，100% avalanche测试等特点，适用于SMPS&UPS、电机控制、焊接设备、PWM、超声波电路等应用。
ST STE24NA100 数据手册 STE24NA100是ISOTOP公司生产的一款N沟道功率MOSFET，其典型导通电阻为0.35Ω，最大耐压为1000V，最大电流为24A。该器件主要应用于高频、大功率开关电源、DC-AC转换器等场合。
ST STE2130S 240RGB x 320 single chip true 262K color controller/driver 数据手册 STE2130S是STMicroelectronics推出的一款单芯片240RGB x 320真262K色控制器/驱动器，支持65K和262K色模式。
