TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K05FU 数据手册 该文件介绍了TOSHIBA的SSM3K05FU型号场效应晶体管的特点和特性，包括小尺寸、低导通电阻和低门阈电压等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K03FE 数据手册 SSM3K03FE是由TOSHIBA生产的N沟道MOS场效应晶体管，其特点是2.5V栅极驱动、高输入阻抗、低栅极阈值电压(Vth=0.7~1.3V)、小封装。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K02F 数据手册 SSM3K02F是东芝公司生产的一款N沟道MOS管，其主要特性包括：低阻抗、低门限电压、高开关速度等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01T 数据手册 该文档介绍了SSM3K01T型号的TOSHIBA场效应晶体管的特性和特点，包括高速开关应用、小型封装、低导通电阻和低门阈电压。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J14T 数据手册 SSM3J14T 是东芝公司生产的一款P沟道MOS型场效应晶体管，适用于功率管理开关DC-DC转换器，具有体积小、开关速度快、低阻抗等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T 数据手册 SSM3J13T是TOSHIBA公司生产的一款P沟道MOS类型的场效应晶体管，具有小封装、低导通电阻、低栅极阈值电压等特点，适用于高频开关应用
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J117TU 数据手册 SSM3J117TU是一款高性能的4V驱动P通道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J09FU 数据手册 该文档介绍了SSM3J09FU型号的特点和特性，包括小封装、低导通电阻和高速开关应用等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02T 数据手册 该文档介绍了SSM3J02T型号的场效应晶体管的特点和特性，包括适用于高密度安装的组件封装、低开通电阻、低电压操作等。同时给出了该型号的最大额定值，如漏极-源极电压、栅极-源极电压、漏极电流等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02F 数据手册 SSM3J02F是TOSHIBA生产的一款高性能场效应晶体管，具有小型封装、低开关阻抗、低门槛电压等特点
