TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV323 数据手册 1SV323 是东芝生产的一款半导体二极管，该二极管具有高电容比和低串联电阻，适用于小型调谐器。
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV325 数据手册 1SV325 是 TOSHIBA 生产的一款硅基平面二极管，用于 TCXO/VCO 应用。该二极管具有高电容比（C1 V/C4 V = 4.3）和低串联电阻（rs = 0.4 Ω），适用于小尺寸调谐器。
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV328 数据手册 1SV328是东芝公司生产的一款电容二极管，其特点是具有高电容比和低串联电阻，适用于小型调谐器。
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV329 数据手册 1SV329是TOSHIBA公司生产的一款VCO，具有高电容比和低串联电阻的特点，适用于小型调谐器。
TOSHIBA Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV331 数据手册 1SV331是TOSHIBA生产的一种可变电容二极管，该产品具有小封装、高电容比、低串联电阻等特点，最大额定反向电压为10V，正向漏电流为100µA，额定工作温度为-55~125°C
