This is a datasheet for BUD44D2 transistor. It is a high speed and high gain bipolar transistor. It has high dynamic characteristics and minimum spread. It is suitable for light ballast applications.
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data is an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.
该文件介绍了Motorola TMOS Power MOSFET Transistor的特点和特性。这些器件采用了Motorola的High Cell Density TMOS工艺，并包含单片的反向并联稳压二极管，提供了防静电击和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，并且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有重要的功率效率。典型应用包括DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于磁存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。
Motorola TMOS Power MOSFET晶体管是一种中功率表面贴装产品，采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS（on）和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低压、高速开关应用，重视功率效率。典型应用包括DC-DC转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。雪崩能量的规定消除了在开关感应负载时设计中的猜测，并为意外电压瞬变提供了额外的安全裕量。
