intel 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) 28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30 Data sheet 该文件介绍了1.8伏特英特尔无线闪存内存与3伏特输入/输出和静态随机存取存储器（SRAM）的特点。它采用先进的英特尔闪存技术和低功耗SRAM，为高性能、低功耗、板约束型内存应用提供了最多功能和最紧凑的存储解决方案。它具有多分区、双操作的闪存架构，可以在一个分区读取同时在另一个分区编程或擦除。这种读取同时写入或读取同时擦除的能力使得它可以实现比单个分区设备更高的数据吞吐率，并且允许两个处理器交错代码执行，因为编程和擦除操作现在可以作为后台进程进行。该产品还包括增强的工厂编程模式，以提高12伏特工厂编程性能，并帮助消除与编程高密度闪存设备相关的生产瓶颈。此外，它还包括块锁定、可编程WAIT信号等功能。
intel 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory 28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3 Data sheet 这份文件介绍了Intel的3 Volt Advanced Boot Block闪存产品系列的特点和特性，包括灵活的SmartVoltage技术、高性能、低功耗、绝对硬件保护等。
intel 82433LX/82433NX LOCAL BUS ACCELERATOR (LBX) 该文件介绍了一款名为82433LX/82433NX的本地总线加速器产品。该产品支持完整的64位Pentium处理器数据总线，频率最高可达66MHz。它还具有驱动CPU数据和地址总线的3.3V信号电平的功能，并提供了64位DRAM接口和32位PCI接口。此外，该产品还具有五个集成的写后写入缓冲区和读预取缓冲区，以提高CPU和PCI性能。它支持并发操作，支持CPU和PCI总线的突发读写，以及将顺序CPU写入PCI转换为零等待状态PCI突发读写。此外，它还支持字节奇偶校验，并提供了160引脚QFP封装。
Intel StrataFlash Memory(J3) DATA SHEET(1) Intel StrataFlash® Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) Datasheet 是 Intel 的一份数据表，介绍了 J3 设备的特点特性，包括容量、接口、存储技术等。
intel BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile™ MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT 这份文档介绍了英特尔 Smart 5 FlashFile™ 内存系列的产品特性，该系列内存提供了 4 到 16 Mbit 的容量，支持高密度、低成本、非易失性、读写存储解决方案。
intel 28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16) k Flash Memory (C3) Datasheet Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)是一种功能丰富的低功耗解决方案，采用Intel的最新0.13µm和0.18µm技术制造。C3设备具有低电压能力（3V读取、编程和擦除）以及高速、低功耗操作。灵活的块锁定允许任何块独立锁定或解锁。通过Intel® Flash Data Integrator (FDI)软件，提供了一种经济、灵活的、单片代码加数据存储解决方案。
Intel StrataFlash Memory(J3) DATA SHEET Intel StrataFlash Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) Datasheet 数据表介绍了Intel StrataFlash Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) 产品的特点特性
intel 8XC251SA/SB/SP/SQ 数据手册 8XC251SA/SB/SP/SQ是Intel 8位 MCS 251系列微控制器成员，与MCS 51微控制器二进制代码兼容，并与40针 PDIP和44针 PLCC MCS 51微控制器兼容。MCS 251微控制器具有丰富的指令集、线性寻址和高效的C语言支持。8XC251SA/SB/SP/SQ具有512字节或1K字节的片上RAM，并提供8K字节或16K字节的片上ROM/OTPROM/EPROM，或不带ROM/OTPROM/EPROM。一系列特性可以通过新的用户可编程配置进行选择。
