TOREX XC2406A816UR-G 1.6GHz ON/OFF Function LNA 说明书 XC2406A816UR-G 是一款低工作电压、低噪声系数 (NF)、低功耗的 CMOS 工艺超低噪声放大器 (LNA)。XC2406 专为 GPS 频段频率 (1.6 GHz) 设计。IC 的内部电路可通过 CE 功能置于待机模式，在待机模式下，消耗电流大大降低，无需添加外部 ON/OFF 控制功能，例如 LDO。外部 RBIAS 可将电源调整到 1.71V~3.63V 的任何电压以进行自偏置功能。标准电源电压为 3.45V、3.00V、2.85V 和 1.80V。
TOREX XC2404A816UR-G 1.6GHz Low Noise Amplifier 说明书 XC2404A816UR-G是一款低操作电压、低噪声系数、低功耗的超低噪声放大器（LNA），其输入和输出具有50Ω的易于匹配，并且外部元器件较少。该器件工作电压为1.2V，对于更高的电源电压（如1.8V和2.85V），该器件可以通过一个附加电阻器的自偏置来工作。
TOREX XC2401A8167R-G 1.6 GHz Low Noise Amplifier 说明书 XC2401A8167R-G是一款低噪声放大器，采用CMOS工艺，具有低工作电压、低噪声系数、低功耗的特点。该器件采用内置自偏置功能，可消除外部偏置设置，适用于GPS射频模块等应用。
TOREX XC221A Series 1.2V Input / Output Rail To Rail CMOS Op Amp 说明书 XC221A系列是一种输入/输出全电压范围的CMOS运算放大器。具有全电压范围功能，可在最低1.2V的电源供应下正常工作。此外，由于XC221A系列采用超小型SOT-25封装，因此该系列特别适用于各种类型的便携电话。即使在100μA的低功耗下，也可以实现550kHz的带宽和0.5V的斜率。即使在CL = 200pF（单位增益连接）的大电容级别下，XC221A系列也不会容易出现振荡。
TOREX XP162A11C0PR-G Power MOSFET 说明书 XP162A11C0PR-G是一款P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。具有高速开关功能，可以高效节能。内置门保护二极管，防止静电损坏。小型SOT-89封装使高密度安装成为可能。
TOREX XP152A12C0MR-G Power MOSFET 说明书 XP152A12C0MR-G 是一款低导通电阻、超高开关速度的 P 通道功率 MOSFET。这款产品集成了防静电二极管，可以高密度安装。
TOREX XP152A11E5MR-G Power MOSFET 说明书 XP152A11E5MR-G 是飞兆半导体推出的一款低压P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高开关速度特性。它可以实现高速度切换，从而提高IC的设置效率，节省电能。该器件内置了栅极保护二极管，用于防止静电干扰。SOT-23 小封装使得高密度安装成为可能。
TOREX XP162A12A6PR-G Power MOSFET 说明书 XP162A12A6PR-G是英飞凌的一款P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高开关速度特性。由于可以进行高速度开关，因此可以有效地设置IC从而节省能源。内置栅极保护二极管可防止静电损坏。小型SOT-89封装使高密度安装成为可能。
TOREX XP161A1355PR-G Power MOSFET 说明书 XP161A1355PR-G是一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。具有高速开关功能，可有效设置IC，从而节省能源。内置门保护二极管以防止静电损坏。小型SOT-89封装使得高密度安装成为可能。
TOREX XP161A1265PR-G Power MOSFET 说明书 XP161A1265PR-G 是英飞凌科技的一款低导通电阻、超高速开关特性的N通道功率MOSFET ，该产品具有低导通电阻，超高速开关特性，内置静电保护二极管，小尺寸的SOT-89封装使得高密度安装成为可能。
Torex XP161A11A1PR-G 说明书 XP161A11A1PR-G是英飞凌推出的一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高开关速度特性。该器件采用SOT-89封装，具有环保、小尺寸等特点，适用于笔记本电脑、手机等应用场景。
Torex XP151A13A0MR-G 说明书 XP151A13A0MR-G是一种具有低导通电阻和超高速开关特性的N通道功率MOSFET。它具有低导通电阻，可以高效节能。它具有内置的门极保护二极管以抵御静电，适用于笔记本电脑、手机、车载电源和锂离子电池系统等应用。该产品具有超高速开关、低导通电阻和小封装等特点。
Torex XP151A12A2MR-G 说明书 XP151A12A2MR-G是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。它具有高速开关功能，可以高效节能。为了对抗静电，内置了门保护二极管。小型的SOT-23封装使得高密度安装成为可能。
Torex XP151A11B0MR-G 说明书 XP151A11B0MR-G是N通道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高开关特性。由于可以实现高速开关，因此可以有效设置IC，从而节省能源。为了抵抗静电，内置了一个栅极保护二极管。SOT-23小型封装实现了高密度安装。
Torex XC3202B Series Low Power Consumption Hall IC (Magnetic Sensor) 说明书 XC3202B系列低功耗霍尔IC（磁传感器）是一款具有内置CMOS输出驱动器的霍尔效应磁传感器IC。该器件具有低功耗和小封装，非常适合电池供电的便携式应用，如手机、电子词典和掌上游戏机。当磁通密度高于工作点（Bop）时，输出低电平信号。当磁通密度低于释放点（Brp）时，输出高电平信号。
