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TEMIC U209B3/ U209B3–FP 数据手册

TELEFUNKEN Semiconductors U209B3/ U209B3-FP是一款用于转速计应用的相位控制电路。该集成电路具有多种功能，可实现成本和空间的显著节省，同时提高可靠性。它还具有多种选择的稳压器和开关特性，供设计师选择。

TEMIC Semiconductor U2008B 数据手册

U2010B是一款由TELEFUNKEN Semiconductors设计的双极技术的功率控制电路，它可以实现电流反馈检测和软启动功能，并具有参考电压输出。电机控制与负载电流反馈和过载保护是首选应用程序。

TEMIC Semiconductor U2043B 数据手册(1)(1)

U2043B是一款集成电路，用于继电器控制的汽车闪光灯，在需要高电磁兼容性的情况下使用。在危险模式和方向模式下，灯泡故障通过频率加倍来指示。指示灯可以连接到VBatt或GND。具有温度和电压补偿频率，通过频率加倍来警示灯泡故障，最小灯泡负载可进行闪光操作，继电器输出具有高承载能力和低饱和电压，对电磁干扰的敏感性较低。

TEMIC Semiconductor U2043B 数据手册(1)

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TEMIC Semiconductor U2044B 数据手册(1)(1)

该文件是关于U2044B供应商的信息，但没有提供具体的产品特点特性。

TEMIC Semiconductor U2044B 数据手册(1)

U2044B是TELEFUNKEN Semiconductors生产的双输出闪光器，采用双输出电路，可以分别控制车辆的左右两侧。该芯片具有极低的电流消耗，可以直接连接到电池，而且还具有温度补偿和电压补偿的闪烁频率、频率加倍指示灯故障等功能。

TEMIC Semiconductor e1217D 32 kHz Standard Watch CMOS IC

e1217d是德国telefunken生产的一款集成电路，采用cmos硅栅技术，用于模拟手表。该电路包含32khz振荡器、频率分频器、输出脉冲形成器和推挽式电机驱动器。电路内部还集成了可选的谐振器电容，用于调谐晶体。此外，电路还通过芯片上的电压调节器实现了低电流消耗和高振荡器稳定性。

TEMIC Semiconductor DG213 数据手册

Siliconix DG213是具有四个开关的CMOS开关，具有22V电源电压、TTL和CMOS兼容逻辑、低导通电阻、低漏电流、单电源工作、扩展温度范围、快速切换、低电荷注入、宽模拟信号范围、简单的逻辑接口、更高的精度、最少的瞬态、降低功耗、低成本等特点。

TEMIC U211B2/B3 DATA SHEET

本文件为U211B2/B3的技术手册，主要介绍了该芯片的功能特点，包括频率-电压转换器、外部控制集成放大器、过载限制、软启动功能等。

TEMIC U2100B DATA SHEET

U2100B是一款使用双极技术的计时器控制电路。它具有不同的模式选择（零电压开关、相位控制、继电器控制），根据输入条件触发输出级。它可以用作两线或三线系统的三极管应用的电源开关。

TEMIC L67132/L67142 数据手册

TEMIC TSC80C31/80C51 数据手册

TSC80C31/80C51是高性能的8051 NMOS单片8位µC的SCMOS版本。它具有完全静态设计，可以将时钟频率降低到任何值，甚至直流，而不会丢失数据。 TSC80C31/80C51保留了8051的所有功能：4K字节的ROM；128字节的RAM；32个I/O线路；两个16位定时器；一个5源、2级中断结构；一个全双工串口；以及片上振荡器和时钟电路。此外，TSC80C31/80C51还具有两种可选择的软件模式，以进一步降低功耗。在空闲模式下，CPU被冻结，而RAM、定时器、串口和中断系统仍然继续工作。在掉电模式下，RAM被保存，所有其他功能都无效。TSC80C31/80C51使用SCMOS工艺制造，可以在VCC = 5 V时以0至44 MHz的速率运行。 TSC80C31/80C51还可在20 MHz下，2.7 V < Vcc < 5.5 V的范围内使用。

TEMIC U4280BM DATA SHEET

U4280BM是Telefunken Semiconductors生产的一款频率合成器IC，它具有AM和FM预放大器，可进行AM和FM波段的微调，可调频率范围为150MHz，内置两个16位可编程分频器，分频范围为2~65535，可用于收音机的频率合成器和RDS应用。

TEMIC U4037B–N 数据手册

U4037B-N是用于电话机的线控话音和蜂鸣器电路。它包含了话音电路、蜂鸣器接口、侧音等效器和耳保护整流器。该电路由线路供电，包含了信号放大和适配线路所必需的所有组件。

TEMIC BZT55C... Rev. A1: 12.12.1994 1 Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

该文件介绍了TELEFUNKEN Semiconductors BZT55C产品的特点和特性，包括非常陡峭的反向特性、低反向电流水平、非常高的稳定性、低噪音等特点。