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NXP BLF6G38-50; BLF6G38LS-50 WiMAX power LDMOS transistor Rev. 01 — 12 February 2008 Preliminary data sheet

该文档介绍了一款频率范围为3400 MHz至3800 MHz的50W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用。产品具有1.23 MHz的信道带宽，9.7 dB的PAR，23%的效率以及优秀的热稳定性和可靠性。

NXP BLF6G20-110; BLF6G20LS-110 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 28 January 2008 Preliminary data sheet

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NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet

BLF6G10LS-200R是NXP推出的一款200W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用，频率范围为800MHz至1000MHz。

NXP BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 18 January 2008 Preliminary data sheet

BLF6G10LS-200 是 NXP 公司生产的 200 W LDMOS 功率晶体管，用于 800 MHz 到 1000 MHz 频率的基站应用。

NXP Semiconductors PBSS5350SS 数据手册(1)

PBSS5350SS是一款50V，2.7A的PNP/PNP低Vcesat突破小信号（BISS）晶体管，采用中功率表面贴装器件（SMD）塑料封装。

NXP Semiconductors PBSS5350SS 数据手册

PBSS5350SS是NXP公司推出的一款低压低压饱和电压双极性晶体管，额定电压为50V，集电极电流为2.7A。该产品具有高集电极电流能力、高集电极电流增益、高效率和小尺寸等特点，适用于双向低功率开关和汽车等应用。

NXP PX1041A Datasheet

PX1041A是高性能、低功耗、四通道PCI Express电气物理层（PHY），处理低级PCI Express协议和信号。PX1041A PCI Express PHY符合PCI Express Base Specification，Rev。1.0a和Rev。1.1。PX1041A包括诸如时钟和数据恢复（CDR）、数据串行化和解串行化、8b/10b编码、模拟缓冲器、弹性缓冲器和接收机检测等功能，并提供优于媒体访问控制（MAC）层设备的性能。PX1041A是一款2.5 Gbit/s PCI Express PHY，带有4 × 8位数据PXPIPE接口。它的PXPIPE接口是PCI Express（PIPE）规范的PHY接口的超集，经过增强和改进，适用于外部应用，通过引入用于发送和接收数据的源同步时钟。该4 × 8位数据接口以250 MHz的频率运行，并采用SSTL类I信号，电压为2.5 V或1.8 V。SSTL信号与FPGA产品中提供的I/O接口兼容。PX1041A PCI Express PHY支持高级电源管理功能。PX1041AI适用于工业温度范围（-40 °C至+85 °C）。

NXP Low power, low price, low pin count (20 pin) 87LPC764 microcontroller with 4 kB OTP

该文件是关于Philips Semiconductors 87LPC764 低功耗、低价格、低引脚数（20 引脚）微控制器的技术规格手册。该产品具有 4kB OTP，并支持 I2C 串行总线、UART 串行通信接口、10 位 A/D 转换器和 8 位 D/A 转换器。

NXP P83C562; P80C562 8-bit microcontroller 数据手册

这是 Philips Semiconductors 8 位微控制器 P83C562 和 P80C562 的规格说明。

NXP P82B96 Dual bi-directional bus buffer 说明书

P82B96是双向I2C总线缓冲器，具有隔离电容、400kHz的操作频率、2V~15V的供电电压范围、低电源电流、ESD保护和低功耗等特点

NXP LPC-Stick 数据手册

LPC-Stick 调试器系统的数据手册，包含体系结构和设备特定信息以及系统的所有技术数据。

NXP LPC2109/2119/2129 说明书

LPC2109/2119/2129基于16/32位ARM7TDMI-S CPU，具有实时仿真和嵌入式跟踪支持，以及64/128/256 kB的嵌入式高速闪存。具有128位宽的内存接口和独特的加速器架构，可以以最高时钟频率执行32位代码。对于关键代码大小的应用程序，采用16位Thumb模式可以将代码减少30%以上，而性能损失很小。这些微控制器具有紧凑的64引脚封装、低功耗、各种32位定时器、4通道10位ADC、两个高级CAN通道、PWM通道和46个快速GPIO线路，最多有九个外部中断引脚，特别适用于汽车和工业控制应用、医疗系统和容错维护总线。通过广泛的附加串行通信接口，它们也适用于通信网关和协议转换器以及许多其他通用应用。

NXP BAS19/20/21 数据手册

BAS19; BAS20; BAS21 是NXP公司的三款通用二极管，封装为SOT23，具有较高的开关速度，最大反向电压为100 V、150 V、200 V，最大正向电流为625 mA。

NXP BAS32L 数据手册

BAS32L 是 NXP 的一种高转换速度二极管，封装为 SOD80C 小型玻璃密封表面安装设备 (SMD) 包装。它具有高转换速度、低反向电压和高反向峰值电压。

NXP BB181 VHF variable capacitance diode Data Sheet

BB181 是 NXP 半导体公司生产的一种可变电容二极管，封装在 SOD523（SC-79）超小型塑料 SMD 封装中。它的特点是线性度好，封装小巧，电容范围在 1pF 至 14pF。该产品可用于卫星调谐器中的电子调谐、可调谐耦合和电压控制振荡器 (VCO)。