NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F 数据手册 ASI HF10-12F是NPN硅RF功率晶体管，最大电流为4.5 A，最大电压为36 V和18 V，最大功率为80 W。它具有20 dB min. at 10 W/30 MHz的PG和-30 dBc max. at 10 W(PEP)的IMD3。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF5-12S 数据手册 HF5-12S是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，具有PG = 20 dB min. at 5 W/30 MHz和IMD3 = -30 dBc max. at 5 W(PEP)等特点
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB175 数据手册 该文件是关于Advanced Semiconductor公司的FMB175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR的规格说明。该产品具有65V的BVCO、36V的VCEO、4.0V的VEBO和20A的IC等特点。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB075 数据手册 该文件是关于Advanced Semiconductor Inc.（高级半导体公司）的产品规格。文档中介绍了NPN硅射频功率晶体管FMB075的特点和特性。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL150 数据手册 CBSL150是用于900MHz类AB蜂窝基站放大器的NPN硅射频功率晶体管。它具有以下特点：内部输入/输出匹配、PG = 9.0 dB典型值在150W/900MHz时、Omnigold™金属化系统。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL100 数据手册 CBSL100是ASI公司生产的一款功率晶体管，具有输入匹配网络和Omnigold金属化系统，最大电流25A，最大电压60V，最大功率310W。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL60B 数据手册 该文件是ASI CBSL60B的datasheet，介绍了该产品的特点特性，包括BVCBO、BVCEO、BVEBO、IC、VCBO、VCEO、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等参数。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL30 数据手册 该数据表提供了CBSL30的特性参数，包括BVCBO、BVCER、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、COB、PG、IMD3、VSWR1、VSWR2、OVD等。
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS ISSUE 1 MARCH 94 2N6714 2N6715 2N6714是2N系列的双极型晶体管，具有高增益和低噪声特性。它适用于各种放大器和开关电路。
