NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014 数据手册 该文件介绍了ASI TVV014型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和性能。该晶体管具有最大电流和电压等级，适用于高频应用。其特点包括Omnigold™金属化系统和最大功率耗散能力。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014A 数据手册 该PDF文件是关于ASI TVV014A数据表，介绍了该产品的特点特性，如BVCEO、BVCER、BVEBO、ICES、hFE、PG、IMD1等。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV020 数据手册 这是一份关于Advanced Semiconductor公司的产品ASITVV020的规格说明书。该产品是一种NPN硅射频功率晶体管，具有最大8.0A的工作电流和最大140W的功耗。它采用了Omnigold™金属化系统，具有优异的性能和特性。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV030A 数据手册 该数据表格列出了ASI TVV030A的特性，包括BVCBO、BVCER、BVCEO、BVEBO、hFE、COB、PG、IMD1等。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR UFT15-28S 数据手册 UFT15-28S是ASI公司设计的NPN硅功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统，最大额定电流为10A，最大额定电压为60V和35V，最大功耗为140W。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12S 数据手册 该文件介绍了ASI HF20-12S型号的特点和特性，具有18 dB最小的功率增益，20 W/30 MHz时的最大-30 dBc IMD3，以及Omnigold™金属化系统。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12F 数据手册 HF50-12F是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 16 dB min. at 50 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 30 W(PEP)，并采用了Omnigold™金属化系统
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12S 数据手册 该文档介绍了ASI HF50-12S型号的NPN硅射频功率晶体管的特点和特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功耗等。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12 数据手册 ASI HF100-12是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是： * PG=12 dB min. at 100 W/30 MHz。 * IMD3=-30 dBc max. at 100 W(PEP)。 * Omnigold™ Metalization System。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28F 数据手册 ASI HF8-28F 是一款 NPN 硅射频功率晶体管，其特点是： PG 为 21 dB 最小，在 8 W/30 MHz，IMD3 为 -30 dBc 最大，在 8 W(PEP) 时。
