Micron - 第3页

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 256Mb：16 Meg x16，8 Meg x 32 Mobile SDRAM Features

本文档为 MT48H16M16LF 的技术文档，介绍了该产品的特点特性，包括：全同步、VDD/VDDQ = 1.70–1.95V、内部、流水线操作、四个内部银行、可编程突发长度、自动预充电、自动刷新和自刷新模式、LVTTL-兼容输入和输出、片上温度传感器、部分阵列自刷新、深度电源下电、可选输出驱动、64ms 刷新周期等

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 128Mb：x16-Mobile SDRAM Features

该文档介绍了Micron的一款同步DRAM产品MT48H8M16LF，具有温度补偿自刷新、全同步、内部流水线操作、可隐藏行访问/预充电等特性。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 512Mb：32 Meg x16 Meg x 32 Mobile SDRAM Features

MT48H32M16LF/LG 是 Micron Technology 生产的一款移动 SDRAM 芯片，该芯片具有 Endur-IC 技术，支持 1.7–1.95V 电压，内部有四个银行可同时工作，支持可编程突发长度，包括 1、2、4、8 和连续突发。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 256Mb：x16 Mobile SDRAM

256Mb: x16 Mobile SDRAM是Micron公司生产的一种移动存储器，其特点是可编程突发长度、自动刷新模式、自刷新模式、64ms、8,192-cycle刷新、LVTTL-compatible输入和输出、低电压电源供应、深度电源下降、部分阵列自刷新节能模式、工业工作温度（-40oC到+85oC）。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 256Mb：x4 x8 x16 DDR333 SDRAM Addendum

256Mb: x4, x8, x16 DDR333 SDRAM技术规格

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 128Mb：x32 DDR SDRAM

该文件介绍了Micron公司生产的128Mb x32 DDR SDRAM产品的特点和特性，包括电压、数据传输速率、数据存储结构、时钟输入等。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 128Mb：x4 x8 x16 DDR SDRAM

128Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM 是 Micron Technology 生产的一款内存

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 128Mb：x4 x8 x16 DDR333 SDRAM Addendum

128Mb: x4, x8, x16 DDR333 SDRAM是美光科技公司生产的一款存储器产品，该产品采用167MHz时钟频率，333Mb/s/p数据速率，工作电压为+2.5V ±0.2V，VDDQ = +2.5V ±0.2V。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 512Mb：x4 x8 x16 DDR SDRAM

512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM是Micron Technology, Inc.生产的一款DDR内存产品，特点是双数据速率（DDR）架构，每时钟周期可进行两次数据访问。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 512Mb：x32 DDR SDRAM

64Mb: x32 DDR SDRAM，是Micron Technology, Inc. 的产品，具有双向数据存储缓冲器（DQS）、内部管道双倍数据率（DDR）架构、两个数据访问周期、减少输出驱动选项、差分时钟输入（CK和CK#）、命令在每个正向CK边缘输入、DQS边缘对齐与读取数据、中心对齐与写入数据、动态时钟锁定（DLL）以对齐DQ和DQS过渡与CK、四个内部存储器行可同时工作、数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据、可编程突发长度：2、4、8或全页、32毫秒、4096个周期的自动刷新（7.8µs/周期）、自动预充电选项、自动刷新和自我刷新模式、可编程输入/输出（SSTL_2兼容）等特点

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 128Mb：x8 DDR400 SDRAM Addendum

该文件介绍了Micron Technology, Inc.生产的128Mb x8DDR400 SDRAM产品的技术规格和特点，包括时序参数、架构、刷新计数、地址分配、数据速率等。

MICRON SYNCHRONOUS DRAM 1Gb：x4 x8 x16 DDR SDRAM

该文件介绍了Micron的1Gb DDR SDRAM产品的特点和特性，包括电压、数据存储方式、时钟输入、命令输入、数据传输方式等。

MICRON Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM MT46H8M16LF – 2 Meg x 16 x 4 Banks

MT46H8M16是Micron Technology, Inc.生产的一种DDR SDRAM芯片，该芯片具有2 Meg x 16 x 4 Banks的特点，内置四个内部银行，可实现并发操作。

MICRON Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM MT46H32M16LF – 4 Meg x 16 x 4 Banks MT46H16M32LF – 2 Meg x 32 x 4 Banks

MT46H16M16LF是美光科技发布的移动DDR SDRAM产品，该产品采用双向数据触发器，支持1.8V电压，内部采用双通道架构，可实现每周期两个数据访问。该产品具有四个内部银行，可实现并发操作。此外，该产品还支持可编程突发长度、自动刷新和自刷新模式等功能。

Micron Image sensor 1/3-inch Wide VGA CMOS image sensor data sheet

1