MCC 说明书 - 第2页

MCC MUR10005CT THRU MUR10060CT 数据手册

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MUR10005 THRU MUR10060 100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts是MCC公司生产的一款半导体器件，具有高浪涌能力、低漏电、低压降、高电流能力和高效率等特点

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MR2400 thru MR2410 Recovery Rectifier 50 - 1000 Volts 是 MCC 生产的一款低成本、低电压降、高电流能力、高浪涌电流能力、低漏电的产品。

BC817-16是MCC的NPN小信号晶体管，具有最高45V的集电极-发射极电压、5V的发射极-基极电压、800mA的集电极电流、1000mA的峰值集电极电流、1000mA的峰值发射极电流和310mW的功耗。

该文件是关于BZT52C2V4S至BZT52C39S型号的200mW齐纳二极管的特性描述，包括功率耗散、齐纳电压、正向电压、峰值正向浪涌电流等。

该产品是一款410mW的Zener二极管，最大电流为100mA，最大正向电压为1.2V，最大反向漏电流为2.0A，工作温度范围为-55oC到+150oC

BC556, BC557, BC558 是 MCC 的三种 PNP 硅放大器晶体管。它们具有 625mW 的最大功耗， -55 到 150 摄氏度的存储温度范围，并且具有 TO-92 塑料封装。

该文件介绍了RB151至RB157型1.5安培单相整流桥整流器的特点和特性，包括低配置封装、任意安装位置、银镀铜引线和50安培的过载保护等。

本文件中给出了BC546B/BC547B/BC548B NPN硅放大器晶体管的特性、参数及封装尺寸等信息。

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SMAJ4728-4764是高功率齐纳二极管，具有3.3至100伏的额定电压范围，并且可以承受高浪涌电流。它们可用于表面贴装应用，并具有平坦的处理表面，可实现准确放置。这些二极管具有热固性环氧树脂封装，可满足UL94V-0要求。

RA351系列35安培恢复整流器具有低成本、低泄漏、低前向电压降、高电流能力和适用于汽车应用等特点。

这是一份关于 LLSD101A THRU LLSD101C Schottky Barrier Switching Diode 产品的特性信息表，包括最大额定值、机械数据、电气特性等

HER101 THRU HER108是1.0安培高效整流器，额定电压为50至1000伏特。产品具有高浪涌电流能力、高可靠性、低前向电压降和高电流能力。