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IDT54/74FCT16501AT/CT/ET IDT54/74FCT162501AT/CT/ET IDT54/74FCT162H501AT/CT/ET 是集成电路制造商Integrated Device Technology, Inc. 生产的18位高速、低功耗注册总线收发器，具有透明、锁存和定时模式。

本资料介绍了 IDT54/74FCT373T/2373T 和 IDT54/74FCT573T/2573T，这几款产品是高性能 CMOS 八路透明锁存器，具有低输入输出漏电、CMOS 电源电平、真 TTL 输入输出兼容性等特点。

这份文件介绍了IDT54/74FCT240/244T/AT/CT/DT - 2240/2244T/AT/CT, IDT54/74FCT540/541/2541T/AT/CT FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVER MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES产品的特点和特性

IDT71V256SA是一款262,144位高速静态RAM，组织为32K x 8。它是使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造的。IDT71V256SA具有出色的低功耗特性，同时又保持着非常高的性能。地址访问时间最快为10ns，非常适合3.3V桌面设计中的3.3V二级缓存。当电源管理逻辑将IDT71V256SA置于待机模式时，其非常低的功耗特性有助于延长电池寿命。通过将CS置高，SRAM将自动进入低功耗待机模式，并且只要CS保持高，SRAM将保持待机状态。此外，在全待机模式下（CS处于CMOS电平，f=0），功耗保证始终低于6.6mW，通常会更小。IDT71V256SA采用28针300mil SOJ和28针300mil TSOP Type I封装。

The IDT 71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT's high-performance, high-reliability CMOS technology. Address access times as fast as 20ns are available with power consumption of only 350mW (typ.). The circuit also offers a reduced power standby mode. When CS goes HIGH, the circuit will automatically go to and remain in, a low-power standby mode as long as CS remains HIGH. In the full standby mode, the low-power device consumes less than 15µW, typically. This capability provides significant system level power and cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 5µW when operating off a 2V battery. The IDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, a 28-pin 300 mil SOJ, a 28-pin 600 mil DIP, and a 32-pin LCC.

这是一款128k x 8位高性能静态cmos存储器

IDT6116SA / LA是一种16,384位高速静态RAM，采用2K x 8的组织形式。它使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造。可提供快至15ns的访问时间。该电路还提供了降低功耗的待机模式。当CS变为高电平时，只要CS保持高电平，电路将自动进入并保持在待机电源模式。这种能力可以显著节省系统级的功耗和冷却。低功耗（LA）版本还提供了电池备份数据保持能力，电路在使用2V电池时通常只消耗1µW至4µW的功率。IDT6116SA / LA的所有输入和输出都与TTL兼容。使用完全静态异步电路，不需要时钟。

IS42S16100C1是ISSI的16Mb Synchronous DRAM，具有200, 166, 143 MHz的频率，两组内存可以同时独立操作，支持LVTTL接口，支持4096 refresh cycles every 64 ms，支持Random column address every clock cycle，支持Programmable CAS latency (2, 3 clocks)，支持Burst read/write and burst read/single write operations capability，支持Burst termination by burst stop and precharge command，支持Byte controlled by LDQM and UDQM，支持Industrial temperature up to 143 MHz，支持400-mil 50-pin TSOP-II, 60-ball fBGA，支持Lead-free package option。

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ISSI IS62C1024AL/IS65C1024AL是一种低功耗、131,072字x8位CMOS静态RAM。它采用高性能CMOS技术制造，具有高可靠性和低功耗的特点。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可以方便地进行内存扩展。通过使用CMOS输入电平，可以将功耗降低到待机模式。具有35、45 ns的高速访问时间、100 mW的低功耗、20 µW的低待机功耗以及输出使能（OE）和两个芯片使能（CE1和CE2）输入等特点。

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IS61LV6416/IS61LV6416L是由ISSI公司生产的一款高性能静态RAM芯片，它具有高速度、低功耗等特点。

该文件介绍了ISSI IS62C256AL/IS65C256AL低功耗32,768字节×8位CMOS静态RAM的特点和特性。它具有低功耗、静态操作、TTL兼容输入和输出等特点。

这是一个关于IDT74FCT2245AT/CT快速CMOS八路双向收发器的数据手册

IS62WV5128ALL/IS62WV5128BLL是ISSI的高性能CMOS静态RAM，具有高速度、低功耗、三态输出、工业级温度和无铅等特点。