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Hittite HMC251MS8 数据手册

HMC251MS8是Hittite公司推出的一款低噪声的二分频器，频率范围在3.0-6.5GHz，输入电压为+5.0V，消耗电流为27mA。

Hittite HMC252QS24 数据手册

HMC252QS24是一款低成本的非反射SP6T开关，采用24引脚QSOP封装，支持从DC到3.0GHz的宽带工作，支持单正向偏置和真正的TTL/CMOS兼容性。开关上集成了3:6解码器，只需3条控制线和一个正偏置即可选择每个通道。HMC252QS24 SP6T可替代多个SP4T和SPDT MMIC开关和逻辑驱动器的配置。

Hittite HMC245QS16 数据手册

该文档介绍了HMC245QS16型号的功能和特点，它是一种低成本的非反射式SP3T开关，适用于DC至3.5 GHz的频率范围。该开关具有低插入损耗、高隔离度和集成的2:3 TTL解码器等特点。

Hittite HMC244G16 数据手册

HMC244G16是一个非反射性SP4T开关，具有低插入损耗和高隔离度。它适用于电信基础设施、军用无线电和雷达、空间应用以及测试仪器等领域。

Hittite HMC241QS16 数据手册(1)

本文介绍了HMC241QS16型号的特点和特性，该产品是一种低成本的非反射SP4T开关，适用于DC - 3.5 GHz的频率范围，具有高隔离度和低插入损耗。

Hittite HMC241QS16 数据手册

该文件介绍了HMC241QS16型号的微波开关的特点和性能，包括低插入损耗、单一正电源供应、集成的2:4 TTL解码器等。

Hittite HMC240 数据手册

HMC240是Hittite Microwave公司推出的一款低成本GaAs MESFET SPDT开关芯片，覆盖DC到4.0GHz频段，具有高隔离度和低插入损耗。

Hittite HMC239S8 数据手册

这份文档介绍了HMC239S8型号的低成本GaAs MMIC SPDT开关的特点和特性。该开关适用于需要极快的切换速度和最小插入损耗的低功率或中功率应用。它可以控制从直流到2.5 GHz的信号。两个控制电压需要最小量的直流电流，非常适合电池供电的无线电系统。

Hittite HMC235QS16G 数据手册

HMC235QS16G 是 Hittite 公司生产的一款 5 位数字衰减器，工作频率范围为 DC-4GHz，最大衰减可达 31dB，采用 16 脚窄间距 QSOP 封装。

Hittite HMC234C8 数据手册

HMC234C8 GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz是一款高性能的GaAs MMIC SMT高隔离SPDT开关，隔离度高达52 dB，插入损耗小于2 dB，适用于电信基础设施、微波射频和VSAT、军用雷达、测试仪器等领域。

Hittite HMC233G8 数据手册

HMC233G8是希捷微波公司生产的一款GaAs MMIC高隔离SPDT开关，工作频率范围为DC-6.0GHz，隔离度大于44dB（2GHz），插入损耗典型值为1.5dB（4GHz），采用非反射式设计，封装形式为金属陶瓷封装。

Hittite HMC232LP4 数据手册

HMC232LP4是Hittite公司推出的一款GaAs MMIC SPDT非反射开关，具有高隔离、低插损、低功耗等特点，覆盖DC~12GHz频段，适用于电信基础设施、微波无线电和VSAT、军用无线电、雷达和ECM、测试仪器等领域。

Hittite HMC232G8 数据手册

HMC232G8是Hittite公司生产的一种高隔离GaAs MMIC SMT SPDT开关，工作频率范围为DC至6.0GHz，隔离度为48dB@2.0GHz和34dB@6.0GHz，插入损耗为1.5dB Typical @ 4.0 GHz，无需偏置电源。

Hittite HMC232G7 数据手册

HMC232G7是一种宽带高隔离非反射式GaAs MESFET SPDT开关，适用于DC至6.0 GHz的频率范围。该开关具有>55 dB的隔离度（在2 GHz以下）和>42 dB的隔离度（在6.0 GHz以下）。它使用互补的负控制电压逻辑线（-5/0V）进行操作，不需要偏置电源。该产品是HMC132G7的形状、适配和功能替代品。

Hittite HMC232C8 数据手册

HMC232C8是一款宽带高隔离的非反射式GaAs MESFET SPDT开关，适用于DC至8.0 GHz频段。具有超过55 dB的隔离度（2 GHz）和超过42 dB的隔离度（8.0 GHz）。该开关通过互补的负控制电压逻辑线（-5/0V）工作，不需要偏置电源。