ASI AVD004F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 AVD004F是ASI设计的NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold金属化系统。此芯片的最大电流为650 mA，电压为32V，功率为18W。
ASI AVD004P NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 这是一款由Advanced Semiconductor公司生产的NPN硅RF功率晶体管，型号为AVD004P。该晶体管的特点是具有Omnigold™金属化系统，最大电流为650mA，最大电压为32V，最大功耗为18W。
ASI AVD015F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 AVD015F是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是具有Omnigold金属化系统，最大电流为1.25A，最大电压为50V，最大功率为50W，工作温度范围为-65℃至200℃。
ASI AVD015P NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI AVD015P是一款NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统，最大电流为1.25A峰值，最大电压为50V，最大功耗为50W峰值。
ASI ASI2001 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI2001是一款NPN硅射频功率晶体管，适用于2300 MHz以下的通用功率放大器应用。它具有最大的输出功率和高效率。
ASI ASI2003 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了ASI 2003型号的特点和特性，该型号是一种用于2300MHz以下的通用功率放大器应用的NPN硅射频功率晶体管。
ASI ASI2005 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了ASI2005型号的NPN硅射频功率晶体管的特点和特性，适用于2300 MHz以下的通用级C功率放大器应用。
ASI ASI2010 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI2010是一款NPN硅射频功率晶体管，用于通用C类功率放大器应用，最高频率可达2300MHz。ASI2010具有以下特点：PG=5dBmin。10W/2,000MHz；无气密微带封装；Omnigold™金属化系统。
ASI ASI2223-4 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI2223-4是一款NPN硅射频功率晶体管，特点是具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
ASI ASI223-12 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI 2223-12 是一款 NPN 硅 RF 功率晶体管，最大电流为 1.5 A，最大电压为 25 V，最大功耗为 33.0 W。
ASI ASI2223-20 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了ASI 2223-20型号的NPN硅射频功率晶体管的特点和特性。该晶体管具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
ASI ASI2302 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文件是关于ASI2302型号的NPN硅射频功率晶体管的规格说明。该晶体管适用于频率在3000 MHz以下的通用C类功率放大器应用。具有PG = 9.5 dB最小值，在2 W / 2300 MHz时。采用密封微带封装和Omnigold™金属化系统。
ASI ASI2304 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI2304是NPN硅RF功率晶体管，设计用于一般用途的Class C功率放大器应用，具有高功率和高效率。该器件具有高增益、低噪声、低功耗和低导通电阻，非常适合在高频和高功率放大器中使用。
ASI ASI3000 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了ASI3000型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和特点，广泛应用于3500MHz以下的一般用途C类功率放大器。其特点包括最小7dB的功率增益、Hermatic Microstrip封装和Omnigold金属化系统。
