ASI ULBM0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 这是一份ASI ULBM0.5的数据表，介绍了它的特点特性，包括BVCEO、BVCES、BVEBO、hFE、Cob、PG等。
ASI UHBS60-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该数据表是关于ASI UHBS60-1的参数规格，包括BVCBO、BVCES、BVCEO、BVEBO、ICES、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。
ASI UHBS30-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 UHBS30-1是一种NPN硅RF功率晶体管，其最大额定值为9.0 A、50 V、30 V和4.0 V。它具有Omnigold™金属化系统、6L FLG封装和1.5 OC/W热阻。
ASI UHBS15-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该文件介绍了ASI UHBS15-1型号的特点和特性，它是一款NPN硅射频功率晶体管，具有优异的性能和高可靠性。
ASI MLN1033F 数据手册 这是一款由ASI公司生产的MLN1033F型NPN硅RF功率晶体管，其特点是具有最高20.6W的功率耗散和12dB的增益，并且采用了Omnigold™金属化系统，具有良好的散热性能。
ASI MLN1037F 数据手册 ASI MLN1037F是Advanced Semiconductor, Inc.生产的一款NPN硅射频功率晶体管。它具有Omnigold™金属化系统，额定电流为10 A，电压为60 V和35 V，最大功耗为140 W。
ASI OSC-0.3C 数据手册 这是一份产品手册，介绍了ASI OSC-0.3C产品的特点和特性。这款产品是一款NPN硅射频功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统，最大电流225mA，最大电压25V，最大功率5.0W。
