philips PBSS3515VS 15 V low VCEsat PNP double transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS3515VS型号的15V低VCEsat PNP双晶体管的特点和特性，包括300 mW总功耗、超薄封装、低饱和压降、高电流能力等。
飞利浦 PBSS3515M 数据手册 PBSS3515M 是 Philips Semiconductors 生产的一款 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
飞利浦 PBSS3515F 数据手册 PBSS3515F是一种15V低VCEsat PNP晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压和高电流能力。它适用于一般用途开关和静音，低频驱动电路，LCD背光，音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备（手机，摄像机和手持设备）。
飞利浦 PBSS2540F 数据手册 该文件介绍了PBSS2540F型号的40V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低饱和电压、高电流能力、平坦引线的改善热行为以及对SOT23通用晶体管的增强性能。应用领域包括一般用途开关和静音、低频驱动电路、音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备（手机、摄像机、手持设备）。
飞利浦 PBSS2515YPN 数据手册 PBSS2515YPN是一种15V低VCEsat NPN/PNP晶体管。其特点包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、可替代同一PCB区域上两个SC-70封装的低VCEsat晶体管、减少所需PCB区域和降低拾放成本。
飞利浦 PBSS2515VPN 数据手册 PBSS2515VPN是PHILIPS公司生产的一款低Vcesat的NPN/PNP双管，其特点是功耗小（300mW），封装小（1.6x1.2mm），可用于开关、驱动、背光、音频放大等场合。
飞利浦 PBSS2515M 数据手册 PBSS2515M是一款15V，0.5A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电流能力IC和ICM，高效率，降低热量产生，减少印刷电路板要求。适用于电源管理、边缘驱动等应用。
飞利浦 PBSS2515VS 数据手册 PBSS2515VS是PHILIPS公司生产的一种低VCEsat NPN双晶体管，具有300mW的总功耗、1.6x1.2mm的超薄封装、优异的共平面性、低的集电极-发射极饱和电压、高的电流能力、改进的热性能和扁平的引线。
PHILIPS PESD5V2S18U ESD protection array 数据手册 本文档介绍了PESD5V2S18U ESD保护数组的特点和特性，包括18线单向ESD保护、最大峰值反向功率、低夹持电压和低泄漏电流等。
PHILIPS PESD5V0S2BT Low capacitance bi-directional double ESD protection diode in SOT23 package 数据手册 PESD5V0S2BT是一款低电容双向ESD保护二极管, 封装为SOT23小型塑料包装, 设计用于保护2条数据线免受静电放电(ESD)和其他瞬态的影响。
PHILIPS PESD5V0L7BAS; PESD5V0L7BS Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arrays 数据手册 该文件介绍了一种低电容7倍双向ESD保护二极管阵列，适用于保护多达七条传输或数据线免受静电放电（ESD）和其他瞬态引起的损坏。
PHILIPS PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays 数据手册 这是一个关于PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US低电容6倍ESD保护二极管阵列的产品数据表。该数据表主要介绍了产品的功能特点、应用场景、技术参数等信息。
PHILIPS PESDxV4UW series 数据手册 该文档介绍了一种超小型SOT665塑料封装的四路ESD保护二极管阵列，用于保护最多四条信号线免受ESD和其他突发电压的损坏。其特点包括：最低电容、最低泄漏电流、最低击穿电压等。
