PHILIPS BZV49 series 数据手册 BZV49系列是Philips Semiconductors生产的一种中功率稳压二极管，封装为SOT89塑料SMD，工作电压范围为2.4至75V，额定功率为1W，非重复峰值反向功耗为40W。
PHILIPS BZV37 Bidirectional voltage regulator diode 数据手册 该数据手册介绍了PHILIPS半导体的产品BZV37的特点特性。BZV37是低功率双向稳压二极管，其额定工作电压为6.5V，非重复峰值反向功耗为40W。该二极管可用于电压稳定器和瞬态保护元件。
PHILIPS BF998WR N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF998WR是菲利普半导体公司生产的N沟道双栅MOS-FET，具有高正向传输导纳、短沟道特性和高正向传输导纳与输入电容比，应用于VHF和UHF应用场合，如电视调谐器和专业通信设备。
philips BF991 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF991是飞利浦公司生产的一款N沟道双栅极MOS-FET，其特点是具有过压保护功能，应用于VHF电视调谐器和FM调谐器等设备。
philips BF992 Silicon N-channel dual gate MOS-FET 数据手册 BF992是Philips生产的一种N沟道双栅MOS-FET，适用于12V供电的VHF电视调谐器和FM调谐器等应用
philips BF990A N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF990A是一种N通道双栅MOS-FET，具有集成的反向二极管来保护免受过高输入电压的冲击。适用于RF应用，如12V供电的电视调谐器和专业通信设备。
philips BF989 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF989 是 Philips 生产的 N 沟道双栅 MOS-FET，具有过度输入电压浪涌保护功能，应用于 UHF 电视调谐器和专业通信设备中。
飞利浦 BF904A; BF904AR; BF904AWR 数据手册 BF904A是菲利普斯公司生产的N沟道双栅极MOS-FET，适用于3至7伏电源电压的VHF和UHF应用，例如电视调谐器和专业通信设备。
飞利浦 BF901; BF901R 数据手册 BF901是Philips Semiconductors生产的一种硅N沟道双栅极MOS-FET，适用于UHF和VHF应用，如电视调谐器和专业通信设备，特别适用于低电压操作。
飞利浦 BF904; BF904R 数据手册 N-channel dual gate MOS-FETs BF904; BF904R 是 Philips Semiconductors 公司生产的一种增强型场效应晶体管，它具有专门为 5 V 供电电压设计、高转移电导与输入电容比率的短沟道晶体管、低噪声增益控制放大器和高于 1 GHz 的跨调制性能等特点。
飞利浦 BF904WR 数据手册 BF904WR是一种N通道双栅MOS-FET，适用于5V供电电压，具有高前向传输导纳与输入电容比的短通道晶体管，可在1GHz范围内实现低噪声增益可控放大器，具有卓越的自动增益控制期间的交叉调制性能。
飞利浦 BF908; BF908R 数据手册 BF908和BF908R是Philips Semiconductors生产的具有高前向转移电导率和高前向转移电导率与输入电容比的短沟道双栅MOS-FET，可用于12V电源电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。
飞利浦 BF908WR 数据手册 BF908WR是菲利普斯半导体生产的N沟道双栅MOS-FET，该产品具有高前向传输电导率、短沟道晶体管、高前向传输电导率与输入电容比、低噪声增益控制放大器等特点，适用于12V供电电压的VHF和UHF应用场景，如电视调谐器和专业通信设备。
飞利浦 BF909; BF909R 数据手册 BF909是菲利普斯半导体生产的N沟道双栅极MOS-FET，专为使用5V电源电压而设计。它具有高前向传输功率因数、高前向传输功率因数与输入电容比以及低噪声增益受控放大器等特点。BF909适用于3至7V电源电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。
