PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-200A/B 数据手册 BUK456-200是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器等应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1) BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管，封装为TO220AB，额定漏源电压为1000V，额定漏极电流为3.1A，额定总功耗为125W。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册 BUK456-1000B是Philips Semiconductors公司生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，封装形式为TO220AB。该器件适用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等应用场合。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK455-60A/B 数据手册 BUK455-60A/B是一种功率场效应晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接和DC/DC、AC/DC转换器等应用。它具有60V的漏源电压、41A的漏电流、125W的总功耗和175°C的结温。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK455-100A/B 数据手册 BUK455-100A/B 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N- 通道增强型场效应功率晶体管，封装为塑料封装。 该设备用于开关模式电源 (SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC 和 AC/DC 转换器以及一般用途开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-800A/B 数据手册 这份文档介绍了飞利浦半导体公司的PowerMOS晶体管BUK454-800A/B的产品规格。该晶体管是一种N沟道增强型功率晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途的开关电阻应用。其特点包括最大800V的漏极-源极电压、最大2.4A的漏极电流、最大85W的总功耗和6-8Ω的漏极-源极开态电阻。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-60H 数据手册 BUK454-60H是一款N沟道增强型功率MOSFET晶体管，具有60V的漏极-源极电压和41A的漏极电流。该器件适用于汽车应用、开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器以及一般用途的开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-200A/B 数据手册 BUK454-200A/B是一种N沟道增强型功率MOS晶体管，适用于表面安装应用。它具有200V的漏源电压、9.2A的漏电流和90W的总功耗。该器件适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途的开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-200A/B 数据手册 BUK454-200A/B是飞利浦公司生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，适用于表面安装应用。该器件用于开关模式电源供应（SMPS）、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及通用开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK453-60A/B 数据手册 BUK453-60A/B是菲利浦半导体生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管。该器件适用于开关电源(SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及汽车和通用用途的开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK453-100A/B 数据手册 BUK453-100A/B是Philips公司生产的一款N-通道增强型场效应功率晶体管，该器件适用于开关模式电源(SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK453-100A/B 数据手册 BUK453-100A/B是Philips Semiconductors生产的N通道增强型功率场效应晶体管，封装形式为TO220AB。该器件适用于开关模式电源供应器（SMPS）、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途开关应用。
