飞利浦说明书 - 第17页

PHILIPS BZT03 series Voltage regulator diodes 数据手册(1)

该文件介绍了BZT03系列电压稳压二极管的特点和特性，包括玻璃封装、高最大工作温度、低漏电流、优异的稳定性等。可用于查询BZT03系列供应商。

该文档介绍了BZT03系列电压稳压二极管的特点和特性，包括玻璃封装、高工作温度、低漏电流、优良的稳定性等。该系列产品的稳压电压范围为7.5至270V，抑制瞬态电压范围为6.2至430V。

BZB984系列是低功耗的稳压双二极管，采用SOT663超小平面塑料SMD封装。

该文件介绍了BZB984系列电压调节双二极管的特点和特性，包括最大功率耗散、VZ容差、超小封装等。该产品适用于一般调节功能和ESD和浪涌保护。

BZB784系列是低功耗的稳压二极管，采用SOT323(SC-70)封装。

BFG97 NPN 5 GHz wideband transistor是一款由Philips Semiconductors生产的NPN型晶体管，封装类型为SOT223，主要应用于MATV应用。

BFG94是Philips Semiconductors生产的一款NPN 6 GHz wideband transistor，具有高功率增益、低噪声系数和低互调失真。它采用SOT223封装，主要用于通信和仪器系统。

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BFG92A/X是飞利浦半导体生产的一款NPN型双发射极5GHz宽带晶体管，它具有高功率增益和低噪声系数，适用于UHF和微波范围内的宽带应用。

BFG92A/X是飞利浦半导体推出的一款NPN 5 GHz宽带晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、金属化确保了卓越的可靠性等特点。应用于UHF和微波范围的宽带应用。

BFG67W是菲利普半导体生产的一款NPN 8 GHz宽带晶体管，具有高功率增益和低噪声特性，适用于模拟卫星电视系统和便携式射频通信设备等应用。

该文件介绍了BFG67系列NPN 8 GHz宽带晶体管的特点和特性，包括高功率增益、低噪音系数、高过渡频率和金属化工艺带来的可靠性。该系列产品适用于卫星电视调谐器和便携式射频通信设备等GHz范围的宽带应用。

该文档介绍了BFG591 NPN 7 GHz宽带晶体管的特点特性，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化工艺确保良好的可靠性。该产品适用于MATV或CATV放大器和射频通信设备等GHz范围的应用。

该文档介绍了BFG590和BFG590/X型号的NPN 5 GHz宽带晶体管的特点，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化保证可靠性。适用于MATV/CATV放大器和GHz范围内的射频通信用户设备，适用于具有脉冲或连续驱动的A类、AB类和C类放大器。